2016光电探测-第四章5探索.ppt

把这些方程合并起来 式中，对于半导体电阻材料， 方程(14)和(15)可用于偏置和辐射功率变化时,用数字方法计算时间与微测热辐射计温度的关系曲线，例如，可采用个人计算机对时间小增量δT的影响求和，可对大辐射信号功率的偏置脉冲下计算时间与微测热辐射计温度的关系。一旦计算出时间与微测热辐射计温度的关系曲线后便可推导出微测热辐射计的响应率。 (14) (15) 如需要的话， Q 可用斯蒂芬定律表示。 3.单片式硅微测热辐射计阵列 ④.测热辐射计中的噪声 影响微测热辐射计系统的噪声效应是： 微测热辐射计电阻的约翰逊(Johnson)噪声； 测热辐射计的偏置电阻产生的噪声； 测热辐射计的热电导噪声； 入射红外辐射的辐射噪声。 3.单片式硅微测热辐射计阵列 总的电学噪声 现在我们来把热、约翰逊和1/f电压噪声功率相加，就可写出带宽f1到f2 (测量带宽)时微测热辐射计两端总的平均平方电压噪声： (16) 3.单片式硅微测热辐射计阵列 电流噪声是 (17) 3.单片式硅微测热辐射计阵列 如方程( 16)、( 17 )的数字实例和表III ，我们计算了4V偏置时的下列情况 热电压噪声：0.4μV均方根值 约翰逊噪声：1.6μV均方根值 1/f电压噪声：2.0μV均方根值 总的电压噪声：2.6μV均方根值 总的电流噪声：65pA均方根值 每单位带宽的平均噪声：22 约翰逊噪声：13 低频热噪声：13