新型压电单晶PMNT在高性能驱动器中的应用.pdf

第20卷 实 验力 学 V01．20 2005正 OFEXPERIMENTALMECHANICS 2005 joURNAL 新型压电单晶PMNT在高性能驱动器中的应用“ 罗豪匙，冯祖勇，赵祥永 (中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室，上海201800) 驱动器具有比PZT一5A陶瓷驱动器高2倍的优异应变性能，能满足各种微米一纳米和控制技术 的应用需要。 关键词：PMNT铁电单晶；场致应变；压电驱动器 中图分类号：0738 文献标识码：A 1 引言 域50年来的“一次激动人心的突破”[3]。新型压电单晶的这些优异压电和场致应变性能，在大应变压电 驱动器、超声波电机、惯性传感器等许多压电器件中具有广泛的应用前景。 极重要的分支，它具有体积小、位移精确、响应快、不发热、低能 耗、无电磁干扰等优点，在微米一纳米和控制技术中占有越来越 重要的地位，它们的应用涉及到精密光学、微型机械、激光通讯、 微电子技术等高新技术领域。中科院上海硅酸盐研究所于1997 年突破了用助熔剂方法生长弛豫铁电单晶的限制，在国际上率先 图1 PMNT晶体及其晶片 为30ram×30mm，如图1 所示。弛豫铁电单晶PMNT在较低电场下就可以诱导出很高的 应变，因此研究其应变性能以及在驱动器中的应用是有重要的科 学意义和广阔的应用前景。 2 实验 用X射线单晶定向仪对Bridgman方法生长的0．7PMN一0．3 PT晶体进行定向，加工成不同规格的晶片，然后刷上银电极。单 片压电晶片的微位移量是很有限的，因此采用多片压电晶片构成 图2 PMNT晶体叠层驱动器 压电叠层来提高其输出位移和力。图2是多个研制的PMNT单 *通讯作者!罗豪蹩(1959一)，男，博士，研究员，博士生导师。主要从事人工晶体和铁电晶体材料方面的研究。 102 实验力 学 (2005年)第20卷 化，极化电场为10kV／cm。应变性能的测试采用LVDT应变测试仪，驱动频率为0．1Hz。 3结果与讨论 3．1 0．7PMN-0．3PT晶体的温度特性 转变温度，大峰140℃对应是铁电四方到顺电立方相的相转变温度∞]。 p量g【Hou u—-gD T『譬rT Temlx*ature(℃) Eleari?ndd(kV／cm) 图30．7PMN一0．3PT晶体的介温谱 图40．7PMN一0．aPT晶体的应变随温度 (a)未极化(b)已极化 变化的曲线图 下，晶体的应变可达0．373％，而且线性好，滞后较小(最大滞后量小于5％)。随着温度的增加，晶体的 于四方相在电场2．5kV／cm下就已出现，应变量降为0．32 度的升高，电场易于诱导PMNT晶体的铁电相变，导致其性能的下降，所以晶体器件的应用比较适合在 温度不太高的环境中。 3．2 晶体PMNT叠层驱动器的场致应变特性 S