新型工业用硅电容差压传感器、变送器的研制.pdf

新型工业用硅电容差压传感器、变送器的研制 刘沁 张治国 匡石李颖 沈阳仪表科学研究院辽宁省沈阳市 110043 摘要：硅电容传感器、变送器以其高精度、高可靠性和长时间免维护的高稳定性牢牢地占有着差压 传感器、变送器的高端市场．本项目针对硅电容差压传感器、变送器的器件与结构两方面进行了充分的 研究，采用MEMS工艺生产小型硅电容器件和三膜片结构组成传感器受压部本体，研制出了自主知识 产权的满足工业自动化过程控制使用的硅电容差压传感器、变送器。目前，样品的研制和基本性能测试 已完成．从测试结果看，其非线性、重复性、迟滞性、零点和量程的温度影响、压力过载保护等达到并 超出了攻关的技术指标．本文将从硅电容传感器、变送器的芯体与结构两方面从原理和工艺角度加以分 析介绍，并给出了实际测试数据． 关键词：硅电容差压传感器变送器 1．引言 硅电容传感器、变送器作为新型的结构型传感器，由于其不同于硅压阻式传感器的基本特性使其具有灵 敏度好、抗过载能力强、温度系数低、稳定性优良、动态响应特性好、易于实现数字化后部处理等特点，成 为当今传感器研究特别是用于过程控制领域用高性能传感器、变送器研究的热点和方向。同时，由于其优良 的特性使之成为国内外各大、中型企业自动化过程控制领域中不可缺少的高端关键仪表之一。但国内对该领 域的研究特别是对用于工业过程控制用硅电容传感器、变送器的实际应用研究，却始终处于初级阶段，至今 没有相应的切实可行的深入研究。为此我们重点开展了新型工业用硅电容传感器、变送器攻关研究工作。本 文将结合攻关成果针对硅电容差压传感器、变送器的结构原理和制造工艺从器件和结构两方面着手加以具体。 分析，并给出实际测试指标。 2．国内外硅电容传感器变送器发展现状 电容传感器最初见诸于报道约在20世纪90年代后期，当时主要为国外某些大型公司作为前沿产品开发 研究，但主打产品基本上为金属电容形式的电容传感器、变送器。直到90年代后期，随着检测仪表智能化 趋势越来越强，硅传感器在高速发展的微机械加工技术和微电子技术的带动下才迅速催生出如“硅电容传感 器”、“硅谐振传感器”等不同于以往硅压阻式传感器的新型产品。由于这类产品在技术上完全不同于以往硅 压阻式传感器必须采用PN结隔离的制造工艺和技术，因此其稳定性、可靠性及其它传感器的自身性能上都 大大优于传统硅传感器及金属电容传感器。特别是在90年代后期到21世纪初期，国外如日本的FUJI、 ROSEMOUNT等著名厂家已经开始在多国仪器展览会等重要场合公开推销这类传感器制作的检测仪表，并 给出了长达3年～5年的免维护的技术保证，使硅电容传感器成为高端产品的代表。也正是这类高端产品其 生产工艺和技术条件要求高，难度大，国内至今仍没有自主技术的同类产品推出。表1列出了国外部分相关 产品的技术性能对比。 表1 国外部分相关产品(差压变送器)的技术性能对比 厂家 E+H ROSEMOUNT FUJI HB SMAR 横河川仪 名称 PMDl30 FAAI FKC．35 ASD800 ID30l 型号 CDS-3lSlDPO)10A(M) 精度KS／*／, 0．1 0．1 O．1 0．075 O．1 O．1 15 (续) 厂家 E+H ROSEMOUNT横河川仪 FUJI HB SMAR 名称 静压误差／Mpa 0．25／14 O．1516，9 0．2，10 量程比 20：l 40：l 50：l 10