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PHS手机(X平台)射频部分基础知识 内容纲要 1. PHS手机的几个概念 2. PHS手机射频部分的框图 3. PHS手机射频器件的组成及其性能 4. PHS手机的主要射频技术指标 5. PHS手机天线电气性能要求 6. PHS手机射频性能的测量 7. PHS手机射频的环境试验 1. PHS手机的几个概念 PHS使用多载波TDMA-TDD无线接入方式,双工方式是TDD。(2.4.1) 每个信道300kHz。每个ARFCN分为8个时隙。 语音编码(CODEC)是32KBit/s ADPCM 传输率为 384KBit/s 时隙结构( 2.4.3 ) PHS的调制方式是л/4 shift QPSK。(3.3.1.2) 信道号:251~255,1~82 (常用信道:18-66CH) 。频率覆盖范围:1893.65~1919.45MHz。(3.4.1) 2. PHS手机射频部分的框图 3. PHS手机射频器件的组成及其性能 主要器件: 前端芯片(开关+PA+LNA) 收发芯片(Transceiver,集成了PLL) 压控振荡器( VCO ) 声表滤波器(Saw Filter) 温补晶振( TCXO ) 3.1 公用器件(1) 1)前端介质滤波器 在LNA之前的前端滤波器的插入损耗必须要小,否则会影响接收机的灵敏度,插损1dB~1.4dB。 目前使用的器件有:松下的AM57S、soshin的MDR749。 2)前端开关+PA+LNA模块 采用了日本SONY的CXG1051AFN,它集成了一个Switch+ PA+LNA+1st mix,发射时它对功率进行放大,接收时它对信号进行放大和变频。发射时增益为39dB,接收时LNA加变频的增益为20.5dB。 3.1 公用器件(2) 3)收发芯片(Transceiver) 收发主芯片采用日本松下公司的AN6591FJM。它集成了二个PLL、 л/4 shift QPSK调制器、第二下变频器和限幅放大器等。 4)晶振 晶振的输出频率为19.2MHz,幅度为1.0Vp-p,频率稳定度± 3PPM,无需压控端。 目前使用的器件是:京瓷的KT18,KSS的208C5。 3.2 接收支路专用器件 1) 第一中频滤波器(声表滤波器) 次级滤波器(在LNA之后的滤波器,中心频率243.95MHz。)的插入损耗可以稍大,达到4.0dB。但带外抑制度一定要好。偏离中心频率为1.2MHz处的隔离达40dB以上。 目前使用器件:京瓷的PAFC243A,KSS的LSFB19。 2)第二中频滤波器(陶瓷介质滤波器) 第二中频滤波器为陶瓷介质滤波器,中心频率10.8MHz,带宽200KHz,插损为5~6dB。 使用器件:村田的SFECS10M8PF00。 3.3 发射支路专用器件 1)后端介质滤波器 插入损耗可以稍大(可达到2.5dB),但带外抑制度一定要好(1660MHz处达到40dB),用于滤除在主芯片里调制和放大所产生的杂波。 目前使用器件:Soshin的MDR706、松下的BM56S。 3.4 锁相环路及使用器件 手机的锁相环电路为手机提供上、下变频的本振信号,其中鉴相电路在AN6591中实现,VCO、滤波电路外加。其中一本振频率为1650MHz~1686MHz,锁相时间为600us左右,二本振频率固定为233.15MHz,其锁相时间为600us左右。 使用器件有:松下的VCO(ENF-VK1),maruwa的VCO(MVF-1668-27-C1433),飞利浦的高频三极管(BFR92AW),东芝的变容管(HUV355B )。 3.5 其它重要器件 1)开关管 用于收发时隙切换。 使用器件:VISHAY的Si1917EDH,ROHM的UMG2N。 2)LDO 给其它器件供电。 使用器件:理光的R1111N301B、321B,TI的TPS79333DBVR。 4. PHS手机的射频技术指标(1) 1)手机的发射功率(Transmission output ): 当手机处于发射状态(Burst)下,在手机天线端口的输出功率电平。单位用mW表示。 指标标称值:10mW。 2)邻道功率(Adjacent channel power) : 邻道功率是指手机工作于发射状态(Burst)下,以距离中心频率?f KHz的频率点为中心的?96KHz带宽内,0.625ms内的平均功率。其
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