第7章-只读存储器重点.ppt

7.1 只读存储器 二、掩模只读存储器 三、可编程只读存储器 可擦除的可编程只读存储器 一、静态随机存储器（SRAM） 7.3 存储器容量的扩展及应用 二、字扩展方式 第一节 只读存储器 第7章 半导体存储器 7.1 概述 7.3 随机存储器（RAM） 7.4 存储器的扩展 7.2 只读存储器（ROM） 7.5 存储器实现组合逻辑电路 下页 总目录 概述 掩模只读存储器 可编程只读存储器 返回 下页 上页 半导体存储器是一种能存储大量二值信息（或称为二值的数据）的半导体器件。 分类： 从存储功能上可分为： 只读存储器（Read Only Memory） 随机存储器（Random Access Memory） 2. 从制造工艺上可分为： 双极型 MOS型 一、概述 下页 返回 上页 掩模ROM：数据在制作时已经确定，无法更改。 可编程ROM（PROM）： 数据可由用户一次写入，但不能再修改。 可擦除的可编程ROM（EPROM）： 数据可多次擦写，灵活性更大。 ROM RAM 静态存储器（SRAM）：存取速度快。 动态存储器（DRAM）：集成度高 。 下页 返回 上页 掩模ROM在出厂时内部存储的数据就已经“固化”。 ROM的电路结构： 地址译码器 存储矩阵 输出缓冲器 数据输出 地址输入 三态控制 下页 返回 上页 存储矩阵：由许多存储单元排列而成。 每个单元能放1位二值代码（0或1）。 每一个或一组存储单元有一个对应的地址代码。 地址译码器：将输入的地址代码译成相应的控制信号， 利用这个控制信号从存储矩阵中把指定的单元选出， 并把其中的数据送到输出缓冲器。 输出缓冲器：一是能提高存储器的带负载能力， 二是实现对输出状态的三态控制， 以便与系统总线连接。 各部分功能 动画 下页 返回 上页 二极管ROM的电路结构图 字线 位线 地址代码 存储矩阵 地址译码器 输出缓冲器 二极管ROM 下页 返回 上页 0101 0011 0101 1011 0101 1100 地 址 数 据 ROM中的数据表 二极管ROM的电路结构图 下页 返回 上页 相当于在所有存储单元中都存入了 1。 写入数据时， 设法将需要存入0的那些存储单元上的熔丝烧断就可以。 PROM的内容只能写入一次。 总体结构与掩模ROM一样， 但出厂时已经在存储矩阵的所有交叉点上全部制作了存储元件， 下页 返回 上页 EPROM（UVEPROM） 紫外线可擦除的可编程ROM（Ultra-Voilet Erasable Programmable Read-Only Memory） 早期存储单元中使用浮栅雪崩注入MOS管， 目前多改用叠栅注入MOS管， 擦除操作复杂，擦除速度很慢。 下页 返回 上页 电信号可擦除的可编程ROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory） 存储单元中采用了浮栅隧道氧化层MOS管， 擦除和写入时需要加高电压脉冲，擦、写时间仍较长， 正常工作状态下，只能工作在读出状态。 2. E2PROM 返回 上页 电信号可擦除的可编程ROM 即吸收了EPROM结构简单、编程可靠的优点， 又保留了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性， 因此具有以下优点： 集成度高、容量大、成本低、使用方便。 3. 快闪存储器（Flash Memory） 下页 总目录 7.2 随机存储器 静态随机存储器 动态随机存储器 返回 下页 上页 1. SRAM的结构 片选输入端 读/写控制端 行地址译码器 存储矩阵 读写控制电路 A0 列地址译码器 Ai Ai+1 An-1 … … 下页 返回 上页 行地址译码器 从存储矩阵中选中一行存储单元； 列地址译码器 从字线选中的一行存储单元中再选1位（或几位）， 使这些被选中的单元经读/写控制电路，与输入/输出端接通，以便对这些单元进行读/写操作。 各部分功能 下页 返回 上页 用于对电路的工作状态进行控制。 当读/写控制信号为1时，执行读操作， 将存储单元里的数据送到输入/输出端上。 当读/写控制信号为0时，执行写操作， 加到输入/输出端上的数据被写到存储单元中。 读/写控制电路： 片选输入端： 片选输入信号为0时，RAM为正常工作状态。 片选输入信号为1时，不能对RAM进行读/写操作。 下页 返回 上页 2. SRAM的静态存储单元 静态存