用区熔拉晶法和光谱分析法评价颗粒硅的规程.doc

ICS77.040 H17 中华人民共和国国家标准 GB/T XXXXX—XXXX? 用区熔拉晶法和光谱分析法评价 颗粒硅的规程 Practice for evaluation of granular polysilicon by melter-zoner and spectroscopies 草案 - XX - XX发布 XXXX - XX - 实施 前言 本标准按GB/T 1.1-2009给出的规则起草的。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）归口。 本标准起草单位：江苏中能硅业科技发展有限公司。 本标准主要起草人： 用区熔拉晶法和光谱分析法评价颗粒硅的规程 范围 本标准规定了以单晶生长的方式，用区熔和光谱分析法评价颗粒硅的施主、受主杂质水平等的方法。 本标准适用于大小范围在200μm-3000μm，一般大小在900-1200μm的颗粒硅。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1558 硅