新结构InGaPGaAs+HBT的研制.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 新结构InGaP／GaAsHBT的研制串 杨威刘训春朱曼王润梅申华军刘新宇 (中国科学院微电子研究所，北京100029) 摘 要：HBT是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一。Cbc和散热是HBT的主要瓶 颈问题。我们在u型发射极结构基础上又提出了一种新结构HBT。该器件工艺简单，可靠 性好，成品率高，而且仍然具有u型发射极HBT良好的的击穿、直流和高频特性。 关键词：异质结双极型晶体管HBT U型自对准PACC：7340j 1．引言 由于人们对通讯速度、通讯质量的要求不断提高，信息传播量急剧增加，需要利用通信容 量大的高频段来发展通信技术。近年来，光纤通信系统取得了飞速的发展，系统的传输容 量和传输速率得到了大幅度的提高‘1-31。一般通信用器件的截止频率约为工作速率的3～5 倍，si器件及电路受Si材料物理性质的局限，难以满足人们的需要。化合物半导体器件以 及相关电路越来越受到人们的青睐。HBT(heteroiunctiontransistor)由于具有功率密 bipolar 度和增益高、相位噪声低、线性度好、单电源工作、芯片面积小和价格性能比低等特点， 是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一[4-51。 HBT的主要缺点是它的热可靠性问题，电路的散热条件与半导体材料的热稳定性是影响 HBT可靠性的关键。众所周知，HBT的BC结电容Cbc是限制HBT工作频率的主要瓶颈。由 于上述原因，我们设计了采用LEU(Laterally HBT‘61。这种结构的HBT在频率上和功率上都有优异的表现，但是它也有着一定的缺点。 由于发射极指细长(宽1．5urn，长19um)这样在腐蚀发射极盖帽层时发射极指容易翘起， 甚至整个发射极发生漂移。同时由于两个发射极指间隙仅有lum，而发射指本身宽也仅有 1．5um，在光刻、腐蚀等工序时对工艺要求非常高，会带来很多的困难。为了解决以上问 题，我们又设计了一种三指发射极，指宽和指间隙都是1．5um的新结构HBT，并获得良好 的性能。 2．外延结构设计 我们此次实验采用的外延片是由中国科学院上海微系统与信息技术研究所提供。外延层是 结构见表1： No． Thickness(nm) Layer Composition(x) Doping Dopant 10 O．6 50 1E19 Si InxGal．xAs 9 O．6—0 50 lE19 Si InxGal．xAs 8 GaAs 120 5E18 Si 7 0．5 50 3E17 Si InxGal—xP 6 GaAS 5 Undoped 5 GaAs 45 4E19 Re 4 GaAs 2 Undoped 3 GaAS 200 1E16 Si ．．554．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 2 GaAs 150 2E16 Si 1 GaAs 500 5E18 Si S．I．GaA