有损圆波导中模式耦合的初步研究.pdfVIP

有损圆波导中模式耦合的初步研究 汪菲1’2焦重庆1’2罗积润1 1．中科院电子学研究所北京100080 2．中国科学院研究生院北京100039 摘要本文基于波导场的本征展开方法和良导体阻抗边界条件，研究了内涂有限电导 率损耗层圆波导中的模式耦合问题，导出了有损圆波导中的模式耦合传输方程组，得 到了各模式的纵向波数、横向波数的计算公式。 关键词有损波导模式耦合波数 1．引言回旋行波管作为大功率、宽频带的毫米波放大器，在国际上受到了广泛的 重视Ⅲ。目前，回旋行波管中广泛采用圆波导作为高频互作用电路。为了保证管子的 稳定工作，人们在波导内壁前端部分涂上有限电导率损耗层以压制各种自激振荡瞳3。 从理论上说，损耗层的加载会引起波导内的模式耦合，为了发展带损耗涂层的回旋行 波管的多模理论，本文初步探讨了有损圆波导中的模式耦合问题。 2．理论分析 Fi91为均匀圆波导的横截面图，区域I为真空(￡n，‰)，半径为a，区域II (￡n，go，d)为有限电导率损耗层，其厚度为t，损耗层外为理想导体所包围。我们 采用圆柱坐标系(r，圳，z)，以波导中心轴为z轴，时变形式为P衙。损耗层的影响可 以通过良导体边界条件旧1来考虑，即在区域I、II的分界面上有： 一En：一Wr“x万口 (】) 其中，赢，万。分别为平行于分界面的电、磁场分量， W=fl+i)uo晒／2为良导体表面阻抗，占为趋肤深度。上式 展开可得， t(口，9)=_哪口(口，妒) (2．a) ‰(口，9)=WH：(口，9) (2．b) 区域I内的横向场可表示为各TE、TM模横向本征矢量的 叠加， 180 JI。02石d妒Je。a以鬈^朋叵≥。’=0 ，I：=dtpJ：：rdrh。匾≥。’=0 ^ ^ ^ ^ ^^ ～ ～ ^ ^ 一 一 PM=，lM×Z，，zM=Z×PM，PM=，zM×Z，允Ⅲ=Z×PM。 从麦克斯韦方程组中的两个旋度方程出发，取它们的z向分量可以得到： t=一(i／雠。)；[(V，×万，)(5．a)H：--(／／掣o)z(V，×面，)(5．b) 将(3)代入到(5)式可得到z向电、磁分量为， H：=一(f／妣)∑‰％磕．，。(‰咖胁‘唧 (6．a) (6．b) Ez=一(f／雠。)∑Q删(z)吃。吒，。(‰r弦胁咖 在继续往下研究之前，先讨论一个场的展开式(3)、(6)。式(3)、(6)是根据 对应理想波导中的本征函数展开的，按这种展开法，在r=a的边界上平行边界的电 场分量t=易=o，而平行于边界的磁场分量日：，H口不等于零，所以，边界条件(2) 不能满足。为了解决这一矛盾，可以这样处理：在0≤，_a的开区域，波导场用(3)、 (6)式表示；而在r=口的边界上，场以边界条件的形式表示，即通过(2)式用H。，H口 来表示色，乞。因此，我们用不连续的函数作为实际波导场的近似，从这一点来说， 本文采用的方法只是一种近似的微扰法H1。 从麦克斯韦方程组中的两个旋度方程出发，取它们的横向分量，并考虑到(6) (7．a) 式，可得百OH,=。％1-2--vy：(、t×雹r)一f雠。(施) (7．b) 百OE,=志Vfvf@×：)一f毗(瓢：) 题挚二嬲叫％题(瓢；胁×；)+邡+去S孵(zs(z)”‘ s(z) ‘“o)Vt批；)声二嬲㈣a， 曼挚二搬=一姚。题(；×瓦H；×；榭)‘嬲+去0s(z)u‘ s(z) ‘“俨 S题(z(V只[(：×己)净二播c8m，)‘ (8．a)，(8．b)式左边第一