梳齿式微硅加速度计的结构失效及设计改进.pdfVIP

梳齿式微硅加速度计的结构失效及设计改进 王益 董景新 刘云峰 刘冬宁* （清华大学 精密仪器与机械学系 北京 100084） （*北京大学 微电子学研究所 北京 100871） 摘 要 探讨了MEMS梳齿电容式加速度计的加工工艺条件和版图设计规则，根据实际加工的 样片，归纳了由于不合理的工艺和版图细节而产生的包括结构断裂、表面粘附、键合分层失 效造成的“糊金”等失效现象，并对其进行机理研究和优化设计。通过合理规划工艺条件和 版图布局，改进的结构经实验验证，有效避免了上述失效问题。 关键词 微加速度计 结构断裂 表面粘附 分层失效 优化设计 1引言 微机械加速度计在军民两用的惯导及运动控制等领域都有广阔前景。虽然国内 MEMS 加速度计的设计和工艺近年来取得了很多进展，但由于微细加工工艺与理论设计之间的吻 合程度、微观尺度效应等，导致在各种工况下的失效问题，因此可靠性成为了MEMS加速度 [1] 计批量应用的一大障碍 。本文以典型的梳齿式硅加速度计为对象，就其体硅工艺流程及 版图设计的合理性进行了探讨，分析了包括结构断裂、键合分层失效、粘附/吸合这几种失 效的机理，针对性地改进了结构和版图，经过实际加工试用，成品率和可靠性都有所提高。 2总体结构及工艺流程 (a) (b) 图1总体结构示意图(a) 与硅片部分缩略版(b) 表 1采用的体硅工艺流程说明 图1为改进前的梳齿式微硅加速度计结构示意图及硅片版图，敏感元件是一个微机械 双侧梳齿结构，敏感轴与基片平行。检测质量两端分别通过两个等长的折叠梁与固定基座 相连，当水平方向有加速度输入时，质量块沿水平方向产生微小位移d 。梳齿由质量块 向两侧伸出，定-动齿交错配置，每个梳齿为可变电容的一个活动电极。为形成差动电容， 并保证键合面积，采用了图 1所示的定齿偏置方案。定齿和相邻的两动齿距离比值约为 4:10。实际版图中，所有梳齿形成的电容均为加力与检测电容合一。 表 1是微加工的体硅工艺流程，在北大微电子所完成。包括硅片工艺(表 1(a)(b))、 玻璃工艺(表 1(c))、组合工艺(表 1(d)(e)(f))。全过程需3次光刻。（其中硅上两次）。 3主要结构失效及机理分析 在这此主要讨论版图/工艺设计引起的结构失效。在实际成表测试中，丧失功能的加速 度计主要表现为：输出电压饱和、输出随加速度变化非线性等，后面将分析这些现象的成 因。铣开成表外壳，在20×10倍金相显微镜下观察微结构，发现以下几种典型的失效情况。 3.1结构断裂 3.1.1结构断裂及影响 结构断裂对表头而言是致命的失效模式。图2为显微镜下观察到的梁或梳齿处的断裂。 梁和梳齿断裂，不但破坏了对称结构，可能使输出随加速度负载的变化非线性。同时， 断裂的碎屑还可能将定齿与动齿连通，形成短路。 3.1.2结构断裂成因分析 导致结构断裂的因素包括： 1)折叠梁为例，体硅加工中，折叠梁直接暴露在结构最外侧，且其线宽设计尺寸仅4mm ； 而考虑实际微加工中，加工顺序是先用化学湿法，以KOH刻蚀外轮廓。接下来用ASE （a） (b) (c) 图2表头结构断裂图（a、b为折叠梁断裂，c为梳齿断裂，图中椭圆内为断点） （advanced silicon etching,先进硅刻蚀）工艺其释放内部结构，利用了ICP-RIE（感应 耦合等离子体刻蚀）和侧壁钝化工艺，以取得厚 70mm 、最小齿间隙 4mm 的硅结构。考 虑到KOH对外侧进行化学减薄片腐蚀时带来横向钻蚀，以及长时间扩散及推进造成的“横 扩”，因此，制版时的折叠梁线宽在版图中表达为5mm 。但即使如此，折叠梁的线宽仍然 是整个硅结构中最窄的部分。无法完全控制的横向钻蚀、横扩速率及ICP释放结构引起的 侧壁起伏等因素，往往对梁的宽度方向造成损伤，成为实际工作的隐患； 2)结构释放时积蓄的内应力如果未经充分的自然老化→上电老化，在加载后易引起较细 线宽处结构