微纳加工说课.ppt

聚焦离子束加工原理 离子溅射 离子诱导沉积（离子束辅助沉积） * 聚焦离子束加工应用1：制作集成电路的剖面 * 用聚焦离子束连接绝缘层下金属导体 聚焦离子束加工应用2：聚焦离子束对电路进行修理 * 聚焦离子束对电路进行修理的实例 * 聚焦离子束加工应用3：修复光刻掩模 * 离子束曝光所用的掩模 镂空掩模 * 离子束曝光所用的掩模——普通薄膜透射掩模 离子束曝光所用的掩模——硅通道掩模 * 纳米压印技术 * * 刻蚀技术 化学湿法腐蚀技术。 干法腐蚀技术：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、反应离子刻蚀。 指标： （2）选择比，也即掩模的抗刻蚀比。 （1）各向异性比。 * * 光刻工艺的基本过程 正性胶与负性胶性能比较。 光学曝光方式 掩模对准式曝光 * 影响接近式曝光分辨率的因素 * 投影式曝光的光学分辨率 * 数值孔径 * 光学技术中的景深与焦深 * 景深不足 大景深效果 照相摄影中的景深效果 * 焦深与分辨率的关系 焦深甚至比分辨率更为重要 * 极紫外曝光 * X射线曝光用掩模 硅或碳化硅膜 Au、W、Ta * ①对光学系统的改进，包括离轴照明技术、空间滤波技术； ②对掩模版技术的改进，包括移相掩模技术和光学邻近效应校正技术。 波前工程 * 离轴照明 * 光阑 光阑 倾斜照明 空间滤波技术 Q光源面 Pin光瞳面： 频谱面 I硅片面(像面) L聚光镜 t掩模 * 交替式移相掩模 振幅 相位 光强 传统二元掩模 180 °相移层 * 光学邻近效应 * ★已确定某光刻胶在MTF等于0．4时具有分辨图形能力。若曝光工具NA=0．35，曝光波长为436nm和S=0．5。问：这个工具可分辨的最小特征尺寸是多少?聚焦深度（取k2=1）是多少?如果光源用i线(365nm)替换，这些数怎样变化? 光学投影光刻的分辨率限制 解：由图得到，MTF等于0．4和s=0．5时，归一化空间频率为 * ★已确定某光刻胶在MTF等于0．4时具有分辨图形能力。若曝光工具NA=0．35，曝光波长为436nm和S=0．5。问：这个工具可分辨的最小特征尺寸是多少?聚焦深度（取k2=1）是多少?如果光源用i线(365nm)替换，这些数怎样变化? 例子：光学投影光刻的分辨率限制 解：（1）对于g线436nm而言： 查图得到的空间频率 雷利准则对应的空间频率 线条或间隔的宽度，即所求的特征尺寸。 焦深 空间周期 * （a）曝光； （b）显影； （c）电铸； （d）将聚合物去除后得到金属微结构； （e）注塑； （f）脱模。 LIGA工艺流程 * ★形式一：日本日立公司采用的形式。 电子束投影曝光模版 ★形式二：朗汛公司(前贝尔实验室)和IBM公司采用的形式。 * 金属溶脱工艺过程 * 沉积过程中的衬底温度低于光刻胶软化温度。 薄膜沉积的方向性。 溶脱剥离法要求沉积的金属薄膜厚度小于光刻胶厚度的1/3。 对于高深宽比的图形，随着薄膜沉积厚度的增加，将发生不均匀图形沉积。因此，对于厚膜沉积和高深宽比结构，需要通过电镀法进行薄膜沉积。 * 薄膜沉积的方法 物理气相沉积：电阻蒸发镀膜、电子束蒸发镀膜、溅射镀膜、分子束外延。 化学气相沉积：CVD、PCVD。 蒸发镀膜过程中，样品位于球面上，薄膜均匀。 高分子量的PMMA在最顶层为成像层，低分子量的PMMA在底层。 PMMA双层抗蚀剂工艺 PMMA的分子量越低，其灵敏度越高。在同样的曝光剂量下，底层低分子量的PMMA显影速度要比顶层高分子量的PMMA快。 电子束曝光中的多层抗蚀剂工艺 PMMA-P（MMA-MAA）双层抗蚀剂工艺 * LOR双层抗蚀剂显影剖面 * 用多层抗蚀剂工艺制作高深宽比结构 * 电子束曝光的邻近效应 * 电子束曝光系统 影响电子束曝光极限分辨率的因素 稳定的工作环境 二次电子散射效应 抗蚀剂工艺 * 离子束曝光系统中用质量分析器 * Vf E×B质量分析器的结构 * 磁质量分析器的结构 S1 S2 S1 S2 *