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波长延伸17～27μmInGaAs高速光电探测器的研制.pdf
第37卷，增刊 红外与激光工程 2008年9月
andLaser
V01．37Supplement Infrared Engineering Sep．2008
波长延伸(1．7-2．7
lxm)InGaAs高速光电探测器的研制
张永刚，顾溢，王凯，李成，李爱珍，郑燕兰
(中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海200050)
摘要：采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了波长延伸的InGaAs探测器，其室
温下的截止波长已由1．7
Ftm拓展至2．7Izm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量表征，结果表
明此类探测器十分适合在室温条件下工作，且在热电制冷温度下其性能可大为改观。瞬态特性测量
结果表明此探测器系列可在高速下工作，实测响应速度已迭数十ps量级，可以满足此波段激光雷达
等方面的需要。
关键词：光电探测器； 化合物半导体； 铟镓砷； 气态源分子束外延
中图分类号：TB4 文献标识码：A
Fabricationof
wavelength
highspeedphotodetectors
‘
ZHANG NG Yan—lan
Yi，W：A Kai，LI Ai—zhen，ZHENG
Yong—gang，GU Cheng，LI
(State ofFuncfionalMaterialsfor Instituteof andInformation
KeyLaboratory lnformatics，Sh卸ghaiMicrosystem Technology,
Chinese of 200050，China)
AcademySciences．Shanghai
extended havebeenfabricated
InGaAs source
Abstract：Wavelengthphotodetectors byusinggas
molecularbeam and cutoff havebeen from to
extended1,71am
epitaxyprocessing，thewavelength 2．71．tm．
ofthede
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