浅谈氧离子注入机高温靶室的热设计.pdfVIP

2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 浅谈氧离子注入机高温靶室的热设计 刘成成王慧勇王学仕 (中国电子科技集团公司第四十八研究所 长沙410111) 摘要：本文从原理上阐述氧离子注人机高温靶室对制作SOI材料的要求，分析晶片加热途径和热 传递方式，对晶片注入高温区结构和热源进行热设计，探讨高温靶的防污染及提高加热效率的方法与 途径。 关键词：SOI高温靶1热辐射热传导污染 1-前言 强流氧离子注入机是SIMOXSOl材料制备中注氧形成埋氧层所必需的关键设备。SOI材料具有 无锁定、低压、低功耗、高速度、高集成度、高工作温度和抗辐射能力强并可有效减小结电容与软误差 等重要优点，是航天航空及未来超大规模集成电路的主导材料。SOI材料为三层结构，即在硅衬底上通 过注入氧离子形成绝缘层(通常是si02)，在绝缘层上面形成的顶层单晶硅薄膜上制作SOI器件。一般 SOl工艺的氧离子注人机 半导体工艺生产线上的离子注入机晶片处理靶室是低温靶，而用于SIMOX 的晶片注人靶室则是高温靶，高温靶的设计技术是氧离子注入机的关键技术。 2． 高温靶的设计要求 S1MOX SOI工艺要求在进行高浓度氧离子掺杂时，晶片的温度要求达到5000一650。C，为使晶片达 到特定温度，除离子束直接对晶片加热外，还需设计一套辅助加热装置，负责对晶片进行预热和升温， 为提高加热效率，要求支撑晶片的装夹部件要具有较少的热容量和较少的传导热损失。 高温靶除了晶片表面温度高以外，还要求顶层硅的粒子污染的浓度低于lxlO“，因此设计高温靶 室时，热源的选用、高温区的材料选取、热量的传递方式、热屏蔽设计、离子束溅射污染的防范、发热体 的挥发污染、运动部件热变形问题都是要考虑的因素。 3． 高温靶的热设计 3．1热源的分析与功率计算 通常氧离子注入机采取晶片批注入方式。晶片是运动的，晶片的热量获取一方面来自注入的离子 束功率，另一方面来自辅助加热源的热辐射。 离子束加热功率=离子束的能量X离子束流 晶片接收辐射加热功率=灯管的加热功率X光加热系数×透射媒体的透射率X晶片对辐射的接收 角X晶片的吸收系数 3．2热传递方式和途径 热的传递通常有三种方式：即热传导、热辐射、热对流，在高真空靶室内，主要为热传导和热辐射， 晶片获取热量的途径是接收离子柬功率的直接加热和加热灯管通过热辐射加热，散热途径是晶片对 腔体壁的辐射散热和对支承晶片的物体进行传导散热。 一2s4一 2005生!!月——第十三届全目电子束·毒子束·光子束学术年会 湖南·长沙 热传导公式：绞=足％Atd【l】 Q，热容量 单位时间传递的热量 J卜热传导率(导热系数) A一材料的截面积 工一导热路径长度 △o一材料两端的温度差 热辐射公式：g=g，e爿” Qr一发热体辐射热流量 e一两物体的辐射系数 ^一发热体的表面积 口，理想黑体单位面积辐射热流量 3_3提高热效率的措施 a)、增加辅助加热效率 一般加热方式是发热灯管直射晶片，为提高红外加热辐射的利用率，简单的方式采用在光源另一 侧加装反射板方式，利用反射板反射灯管背面的热辐射来提高加热效率，复杂的方式采用将反射罩做 成抛物面，将灯管安放在抛物面的焦点位置上，这样热辐射呈平行直射晶片，大大提高了光源的利用 率，极大增加了晶片对光源的吸收。 b)、减少高温区的热容量和热传导损失 高温区晶片定位卡片装置要求采用强度好、耐热性能好、变形小的材料制作，要求质量小且升温 快。与晶片接触的面要求面积尽可能小，支承高温区的部件担负热量向中低温传递，要求传导截面尽可 能小，传导路径长，这样热量传导损失则小。 3．4防污染设计 a)、加热装置的防污染设计 高温加热时，加热灯管和电极局部会产生较高的温度，它们的高温挥发物会污染晶片表面，为避