关于十一五国家高技术研究发展计划（863计划）新材料领域半导体照.doc

附件： “十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料领域“半导体照明工程”重大项目课题评审初步结果 序号 课题编号 课题名称 申请人 申请单位 1 2006AA03A101 Φ2英寸LiAlO2晶体及衬底制备技术 周圣明 中科院上海光学机密机械研究所 2 2006AA03A102 新型衬底GaN（氮化镓）基材料的外延技术 曾一平 中国科学院半导体研究所 3 2006AA03A103 LiAlO2上非极性面GaN基LED材料生长与器件制备 韩平 南京大学 4 2006AA03A104 非极性面GaN基LED材料用衬底的研制 周国清 中科院上海光学机密机械研究所 5 2006AA03A105 高效率大功率LED外延材料制备技术 罗毅 清华大学 6 2006AA03A106 高效率大功率发光二极管外延材料研究 陈弘 中国科学院物理研究所 7 2006AA03A107 AlN衬底制备及GaN基深紫外LED外延技术研究 王文新 中国科学院物理研究所 8 2006AA03A108 GaN基深紫外LED材料的外延技术 郝跃 西安电子科技大学 9 2006AA03A109 深紫外GaN基LED的研究 秦志新 北京大学 10 2006AA03A110 深紫外LED GaN基半导体设计与关键外延技术研究 康俊勇 厦门大学 11 2006AA03A111 紫外LE