气相沉积讲解.pptx

第十章 气相沉积技术 第一节 姓名： 物理气相沉积（PVD） 在 在真空条件下，以各种物理方法产生的气相原子或分子沉积在基材上，形成薄膜或涂层的过程称为物理气相沉积（PVD）。 （Physical Vapor Deposition ） Company Logo 物理气相沉积分类（PVD） 一.真空蒸发镀膜 二.溅射镀膜 三.离子镀膜 沉积时 物理机制 真空蒸发镀膜 把待镀膜的基体置于高真空室内，通过加热使蒸发材料汽化，以原子、分子或原子团离开熔体表面，凝聚在具有一定温度的基体表面，并冷凝成薄膜的过程称为真空蒸发镀膜。 基材表面清洁 蒸发源加热镀膜材料 镀膜材料蒸发 真空室内形成饱和气 蒸气在基材表面凝聚、沉积成膜 蒸镀步骤： 概念 步骤 蒸镀步骤： 蒸镀步骤： 真空蒸发镀膜 真 空 蒸 发 镀 膜 真空真空蒸镀设备 2. 真空蒸镀设备 3. 成膜机理 5. 蒸发源 4. 影响蒸镀过程的状态与参数 1. 真空蒸发镀膜的种类 6.物理气相沉积技术的新进展及其特点  1.真空蒸发镀膜的种类 真空蒸发镀膜主要有两种：热蒸发、EB蒸发。 热蒸发的概念及特点 热蒸发是在真空状况下，将所要蒸镀的材料利用电阻加热达到熔化温度，使原子蒸发，到达并附着在基体表面上的一种镀膜技术。 特点：装置便宜、操作简单，广泛应用于Au、Ag、Cu、Ni、Cr等导体材料。  1.真空蒸发镀膜的种类 E-beam蒸发的概念及特点 热电子由灯丝发射后，被加速，获得动能轰击到处于阳极的蒸发材料上，使蒸发材料加热气化，从而实现蒸发镀膜。 特点：多用于要求纯度极高的膜、绝缘物的蒸镀和高熔点物质的蒸镀。  2.真空蒸镀设备 电阻加热式 1.真空蒸镀设备  3.成膜机理 真空蒸镀时，薄膜形成机理主要有：核生长型、单层生长型和混核生长型三种基本类型。 核生长型 单层生长型 混核生长型  3.成膜机理 核生长型蒸发原子是在基片表面上形核并生长、合并成膜的过程。沉积开始时，晶核在平行基材表面的两维尺寸大于垂直方向尺寸。继续沉积时，晶核密度不明显增大，沉积原子通过表面扩散与已有晶核结合并长大。 单层生长型是沉积原子在基片表面上均匀覆盖，以单原子层的形式逐次形成。 混核生长型是在最初的一两个单原子层沉积后，再以形核与长大的方式进行，一般在清洁的金属表面上沉积金属时容易产生，例如，Cd/W、Cd/Ge等就属于这种生长方式。  4.影响蒸镀过程的状态与参数 理想条件下希望尽量减少蒸气原子与气体分子间的碰撞，使它们到达基材表面后有足够的能量进行扩散、迁移，形成致密的高纯膜，提高成膜质量。因此要保证较高的高真空度。 真空度 问题1：如果真空室压力过高会出现什么情况？ （1）蒸发源被氧化； （2）气化原子或分子在飞行过程中被空气分子频繁碰撞，致使难以形成均匀的膜层； （3）蒸发原子或分子沉积在基片上被污染（形成氧化物等）  4.影响蒸镀过程的状态与参数 基材表面状态 基材表面清洁度、温度以及表面的晶体结构均影响蒸镀过程。 （1）表面清洁度：油膜、乙醇类物质会污染膜而且使其结合力显著降低。 （2）表面温度：基材温度低有利于膜的凝聚形成，但不利于提高膜与基材间结合力。 （3）基材表面晶体结构：基材为单晶体，镀膜也会沿原晶面长为单晶膜。  4.影响蒸镀过程的状态与参数 蒸发温度 lgp = A-B/T Clasius-clapeyron 公式 式中：A、B分别为与材料性质有关的常数；T为热力学温度；p为材料的蒸气压。  4.影响蒸镀过程的状态与参数 基材表面与蒸发源的空间关系 蒸镀膜的厚度分布由蒸发源与基材表面的相对位置以及蒸发源的分布特性所决定。 沉积膜厚度分布图 基材表面为一平面时，由于平面各处距离蒸发源的距离不同，会出现膜厚度不均的现象，一般情况都要使工件旋转，尽可能使工件表面各处与点蒸发源的距离相等或者相近。  5.蒸发源 真空蒸镀中几种常用的蒸发源。 （1）电阻加热蒸发源 特点：最简单、最常用，加热器材料使用高熔点金属。 电阻加热典型蒸发源 直接灯丝加热 蒸发器皿加热  5.蒸发源 （2）高频感热加热源 高频感应加热是把要蒸镀的材料置于坩埚中，坩埚用电阻丝围绕，通过高频交流电使成膜材料感应加热而蒸发。 优点：能够得到纯净的膜层且不受带电离子的损害。 局限性：不能对坩埚进行去气，不易对输入功率进行微调，难以避免坩埚的污染。 （3）电子轰击蒸发源和电子束蒸发源 （4）激光蒸发源 电子轰击和电子束蒸发源都是用加速电子碰撞蒸发物质而使其发热蒸发。 运用高功率激光束，聚焦照射到蒸镀材料的表面，使其表面温度达到沸点温度以上而蒸发镀膜的工艺方法 5.蒸发源 （2