温度对CVDZnS生长的影响.pdfVIP

温度对CYDZnS生长的影响 付利刚 苏小平 杨海 霍承松 赵永田 (北京有色金属研究总院，北京国晶辉红外光学科技有限公司 北京100088) 摘要：沉积温度对CVDznS的生长影响显著．但在本文所选的温度区间内ZnS的生长速率几乎 没有变化，结舍放热C、rD反应的速率曲线对此进行了分析研究．另外随温度的升高，耪束反球状生 长加剧，严重景影响Zn$的光学，力学性能以蕊表现质量．降低沉积温度可显著遏制两种生长的同 时却加大了沉积产物与衬底分离并向上拱起的程度．文章对上速三种有害现象的机理分别加以阐述 并提出了相应的解决方案． 关键词：生长速率：粉未：球状生长；拱起 1．引言 多晶ZnS在中红外波段(3～5#m)及远红外波段(8～12 Jlm)具有商的透过率，经热等静压(HIP) 处理后其在可见光波段的透过率大幅提高．光学性能优异；同时Zfls还兼具良好的机械及抗热冲击 性能，是目前多光谱光电系统窗口尤其是头罩的首选材料。 在制各工艺上，热压(riP)及物理气相榆运(P、仃)由于产品存在纯度、致密度和均匀性等方 面的问题而被发达国家所淘汰，化学气相沉积法(CVD)由于不存在上述三个问题且能够制备大尺 寸及特殊形状而成为目前美国等先进国家所采用加工方式． 在化学气相沉积过程中。沉积温度、压力等条件对zIls的生长速率、均匀性及质量影响显著。 理论上，适当提高沉积温度可提高生长速率，但在我们所选的温度区间内温度对生长速率的影响几 乎没有影响．与此同时随着温度的降低粉末及球状生长明显减少。但低温下拱起现象显著．本文对 此将进行分析讨论。 2．实验 原生CVDZllS采用有色院红外所立式cvD沉积设各进行制备．沉积发生在立方沉积室的内表面． H2S气体进入沉积室。反应物分子在衬底表面发生如下反应： H2S(g)+Zn(g)一Z11S(S)+m(g) 沉积副产物及末参与反应的反应气等尾气经过滤系统滤掉粉末后在排入大气之前还要通过尾气 处理系统来去除其中的有毒气体麟)。 3．讨论 、 根据speⅡ的化学气相沉积过程理论(I．反应气体向沉积区的传输；2．反应气体由主气流通过 浓度边界层向基体表面扩散；3。反应气体在基体表面的吸附与解析；4．吸雕反应物之间发生反应形 成沉积产物；5．沉积物的形核与生长；6．反应副产物从积沉表面的解析及向主气流中扩散)温度对 生长速率的影响主要在三个方面： 从气体的表面输运过程来看．温度能影响输运系数^(或称为质量转移系数)，这种影响的关系可 表示为： ^一r‘ n=O．17～0．57，这种影响相对比较弱。 65I 在化学气相沉积过程中反应气体是从主气流中通过浓度扩散透过速度介面层(介面层厚度1．1 ： (曲=I!堡l 目是气体粘滞系数：p为气体密度；F是流体速度；j为距衬底前沿的距离)至Ⅱ达 Lpu) 衬底表面进行反应。随着温度的升高，气相中分子具有的动能加大。更容易克服分子闻的能垒而与 衬底表面悬挂键形成稳定的能够参与反应的化学吸附(物理吸附分子附着强度差，不参与表面反应) 化学吸附也随之增强。这是由于气相中分子具有的动能足够大，容易克服分子间的位能势垒而形成 稳定的化学吸附． 反应速率常数七与温度的关系是：后=4e—存 式中F为反应活化能；r为沉积温度；斥为气体常数，即随着温度的升高，速率常数．|}增大，也就是 温度升高在固定进气量情况下表面反应加快。 总之．从气体的质量转移、化学吸附和表面化学反应，温度都是有影响的。其影响的结果是加快 了这些过程的进行． 仅在每小时几个微米之间，也就是说在我们所选的温度区间内单纯对生长速率来说，温度已成为次 要因素而反应气体的表面输运(压力、气体流形)成为主要限制方面。同时在低温条件下．球状生 长和粉末两种有害的生长现象得到了明显的遏制。但沉积产物与衬底脱离的拱起现象弧度加大， 首先是生长速率方面的分析．对放热CVD反应来说，根据温度对生跃速率的影响可划分为三个 区间，如图1所示． 在温度足够低时，沉积属动力学限制过程 (Kin