热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积制备硅薄膜生长机制的比较研究.pdf

薄膜硅太阳电池及材料．169． 热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉 积制备硅薄膜生长机制的比较研究术 周玉琴周炳卿谷锦华 朱美芳 刘丰珍 中国科学院研究生院物理科学学院北京 100049 ： t 【摘要】 方法制备的器件质量硅薄膜，其形貌和表面粗糙化特征明显不同，反映了不同 的生长动力学过程。本文通过原子力显微镜(AFM)和掠角x射线反射技术研 究薄膜表面的演化过程。根据分形理论，均方根表面粗糙度6和膜厚d有以下 关系：万一d，，其中D为动力学标度指数，与薄膜生长机制有关。本文结果表明， 制备的硅薄膜，p=o．24，则是有限扩散的生长方式。通过MonteCarlo方法模 拟硅薄膜的生长过程，揭示了生长基元的黏滞系数对薄膜的粗糙化生长有较大 的影响。 HWCVD 【关键词】 PECVD硅薄膜生长机制计算模拟 ofGrowthMechanismsofSiliconThinFilms Comparison Prepared HwcvdAndPecvd by Zhou Zhou GuJinhuaZhu Liu Yuqin Bingqing MeifangFengzhen CollegeofPhysicalSciences，GraduateUniversity 100049 0引’言 动力学过程存在着本质的区别，如：硅烷分解方式，气相反应过程，生长基元的类型，能量， 荷电性等等，是不相同的。动力学过程的不同造成了薄膜形貌以及表面粗糙度演化的差别。 糙生长过程，属非平衡生长。薄膜的生长前沿往往具有自组织生长的特征，可用标度理论来 分析。根据标度理论，薄膜的均方根表面粗糙度6与薄膜厚度d满足关系：万一d卢，其中∥ 是动力学标度因子。∥值可取1／2，113或0，分别对应于零扩散的随机生长、有限扩散生长 o ．170· 中国太阳能光伏进展 和理想的无限扩散生长【1】。因此，研究薄膜表面的粗糙度演化可以得到生长过程的相关信息， 揭示薄膜的生长机制。 技术研究薄膜表面的演化过程，由分形理论分析求得p值，并由此推断其生长模式；采用单 ● 粒子沉积的MonteCarlo方法模拟薄膜生长过程；研究决定薄膜粗糙化表面的关键因素。‘ 1实验方法． 1．1 HWCVD过程 衬底材料为Coming Pa，热丝到衬底的距离为4cm，有气相反 稀释度R=【H2]／[Sill4】+[H2】-95％，沉积气压为5 应发生。薄膜厚度为1．5一-360 表面形貌，均方根表面粗糙度是在500x500nm2扫描尺度内获得。 1．2 PECVD过程 1737玻璃，衬底温度为2000C，电极间距为2cm，沉积气压为5Tort， 衬底材料为Coming 射频功率密度为O．22 辐射实验室进行，使用失真波玻恩近似理论对反射谱进行数据处理： 别为2．5埃，秒和70％。 2实验结果、模拟计算结果及讨论 2．1 实验结果 和图2。因为薄膜生长的最初阶段不满足动力学标度理论，所以双对数下的线形拟合不包括 图1 HWCVD沉积硅薄膜的均