热处理条件对硅碳化硅材料相与组织的影响.pdf

热处理条件对硅磁化硅材料相与组织的影响 李世斌1，马明亮1，李养良‘，金志浩z 1．九江学院材料科学与工程系，江西九江，332005： 2．西安交通大学材料科学与工程学院，陕西西安，710049 摘要：分别于真空和氮气气氛中，在1650，1750，1850(2对硅／碳化硅材料进行高温处理，通过光学 显微镜，扫描电镜和x射线衍射分析手段，研究了硅／碳化硅材料的组织的变化．结果表明，氮气氛下 处理，砰晶在界面能驱动下，通过基面以层状形式不断聚合长大，最终完全“吞食”所包裹的B—SiC 来完成相转变的；在真空条件下，除了前一种方式外，还有一定的蒸发一凝聚烧结机制存在，二者同 时作用使得真空比氮气条件下有较快的D—SiC转化速度．转化驱动力随温度的上升而提高．1850C氮 气环境下处理的材科仍有少量Psic相存在，而真空1750。C处理后就能得到单一的铲s￡c相多孔材料． 关键词：硅／碳化硅：热处理条件；显微组织；相组成 中图分类号：13332．2／14；TGl51．’l’文献标示码：A 文章编号： TheE嘞ofHeatTreatmentConditionONPhaseandMicrostructure inSi／SiC Composites LI Shibinl，MA Mtnglian91，LiYanglian91．J烈盈lill∥ ofMaterialsand 1．Department Science 332005，alil=la： Engineering,JiujiangUniversity,Jiujiang 2．SchoolofMaterialsScienceand 710049,China Engineering,Xi’锄JiaotongUniversity,Xi’an under and Abstract：Si／SiCmaterialsWeletreated vactlUlll at1650．1750 atmosphere respectively nitrogen and1850．C．111etransformationofmicrostructureinSi／SiCmaterialswere the of by means investigated electrical and diffraction．砸圮resuIts opticalmicroscopy,scanmicroscopyX-ray indicatedthatunder nitrogen the is nucleationseedlamdlae transformationmode ofwSiC ofbase interface atmosphere by planeby energy drawn．Under Iransformationm