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用于应变Si 外延薄膜的SiC 缓冲层的生长 ? 王 琦 王荣华 夏冬梅 郑有炓 韩 平 俞慧强 谢自力 修向前 朱顺明 顾书林 施 毅 张 荣 （南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093 ） 摘 要：用化学气相沉积方法对 Si （111）衬底进行碳化处理，继而生长 SiC 外延层和应变 Si 薄膜。结果表明 1100℃的碳化温度可以有效降低Si 与 SiC 薄层界面处的空洞，得到较平整的SiC 薄层，在此条件下生长了高质量的 SiC 薄膜。在该 SiC 薄膜上外延获得了具有单一晶向的应变 Si 薄膜，其霍尔迁移率明显高于具有相同掺杂浓度的体 Si 材料，电学性质得到了有效改善。 关键词： 碳化；SiC；应变Si 1 引 言 应变Si薄膜材料具有高电子迁移率，可用于新型高性能MOS器件的制备，因而是近年来新型Si [1–3] 器件研究领域中备受关注的研究方向 。由于Si与Ge的晶格常数相近，目前应变Si薄膜材料的制备 主要是在应变弛豫的SiGe层上外延生长Si而实现的，这方面的技术相对成熟，已成功用于新型高性 能MOS器件的工业化生产。SiC和Si之间也存在晶格失配，因而在SiC上外延Si也可以得到应变Si薄膜 材料；而SiC具有宽禁带、高热导率、高电子饱和漂移速率、耐高温、耐强辐射等特性，采用Si/SiC 异质结构有利于降低器件漏电流、提高器件的性能及可靠性。但是SiC的晶格常数与Si相比失配较大， 因此，在SiC上外延应变Si材料的研究工作难度较大，需要探索生长出合适的SiC缓冲层。 本文用化学气相沉积（CVD ）方法在SiC/Si （111）上外延生长应变Si薄膜，对Si衬底上碳化形 成SiC薄层的生长条件、SiC层及应变Si层的性质进行了研究。 2 实 验 用CVD方法对Si （111）衬底进行碳化处理，继而生长SiC外延层和应变Si薄膜。生长前衬底经 浓硫酸和双氧水（4:1 ）溶液清洗、5 ％HF溶液（HF:H O ）腐蚀、再用N 吹干后被放入CVD反应腔中。 2 2 外延生长中以SiH 为Si源，C H 为C源，H 为载气。在H 气氛下对衬底进行碳化处理，以10K/min的 4 2 4 2 2 升温速率将衬底由室温加热到碳化温度，升温至520℃时通入乙烯，温度达到碳化温度后不再改变， 并持续1小时，再以7K/min 的速率降温到700℃，结束碳化过程。衬底所采用的碳化温度分别为1050℃、 1100℃、1150℃、1200℃；SiC外延层的生长温度为1100℃，碳硅比为1，生长时间为120mins；应变 Si薄膜的生长温度为750℃，生长时间为20min 。 分别用X 射线衍射（XRD ）、拉曼散射光谱（Raman ）、扫描电子显微镜（SEM）、霍尔效应（Hall） 等方法对所得样品的结构特征和电学性质进行表征和测量。 3 结果与讨论 ? 通讯作者：Email：hanping@nju.edu.cn 148 Si衬底上外延SiC薄膜的时，由于Si和SiC之间较大的晶格失配和热膨胀系数失配，通常都较难获 得很好的晶体质量。因此，在Si衬底上首先进行表面碳化处理，得到一层由Si向SiC过渡的缓冲层。 [4] 利用这个缓冲层，可以有效地提高生长薄膜的单晶质量。按照Craul和Wagner 的观点 ，在Si/SiC界 面形成碳化过程由两步组成：1）生长第一层，分解的C源气体分子依附在Si表面，C原子的单一原子 层覆盖了Si表面；2 ）进一步生长，硅衬底表面向外强烈的扩散Si源，在表面形成SiC分子并逐渐形成 [5] 一个SiC薄层覆盖住衬底表面 。 a 1200℃