用正交试验方法确定SiO2干法刻蚀菜单.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 用正交试验方法确定Si02干法刻蚀菜单 付玉霞 仲涛 林发永 清华大学微电子研究所 北京 100084 摘要：本文介绍用正交试验方法确定二氧化硅干法刻蚀工艺菜单。还介绍了用该工艺菜单 进行刻蚀可得到良好的片内均匀性、片间均匀性及批间重复性。 关键词：正交试验菜单均匀性重复性 A of EtchEstablishedofthe Si02 Recipe Dry byWay OrthogonalExperiment Abstract：A ofSiOz etchestablishedofthe recipe dry byway orthogonal hasbeen the theresultsontheetch experimentpresented．Usingrecipe uniformity ofwithinwaferandwafertowaferandtheetch ofthebatchtobatch repeatability havealsobeen presented． Keywords：：Orthogonal I． 引言 对集成电路制造设备在投入使用前除了需要进行设备评价外，还需要进行工艺菜单选 定，尤其是刻蚀设备由于制造厂家不同，结构显著不同，性能不同，适用的工艺条件千差 万别，因而只能针对具体的设备进行工艺条件确定，以满足生产的需要。本文介绍Apply Materials Technology公司生产的PE8310刻蚀系统刻蚀工艺菜单的确定过程方法与结果。 确定工艺菜单也就是寻求一组经过优化的工艺条件，这就需要进行一系列试验。影响刻蚀 速率的工艺参数有射频直流偏压、反应腔内反应气体总压强、氧气流量及CHF。等四个。如 果每个参数取3个不同值，就有34=81不同试验条件组合。如此之多的试验既浪费人力、 物力，也浪费时间，甚至在时间上也不允许的。为此，本文应用正交试验方法确定二氧化 硅干法刻蚀工艺菜单，进而用该工艺菜单进行刻蚀所得到的片内均匀性、片间均匀性及批 间重复性来评价工艺菜单适用性。 II．正交试验因子及水平选定 本文采用正交试验设计方法，选用正交表L。(34)。取四个因子，每一个因子取3种 不同状态(称为水平)，一共只要9个不同条件组合的试验，就可以确定出获得最大刻蚀 速率的因子组合及影响刻蚀速率的最敏感的因子，从而确定出刻蚀速率最快的工艺菜单。 表1给出了本试验所采用的4因子与3水平表。 表1． 本试验所采用的因子水平表 I＼姻子 A B C D． f，k未＼ nr偏厍，V、 冬『与流吾(merm、rHF。i斋骨fsPrm) ‘70’‘ ＼ 反应气压(!!!T) ① 440 20 5 30 ② 520 35 8 70 ③ 600 45 10 110 ．．73．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 III． 试验结果与分析 表2给出了用来确定PE8310刻蚀系统进行刻蚀