相场方法模拟不同磁场下NiMnGa合金应力应变关系.pdfVIP

相场方法模拟不同磁场下NiMnGa合金应力应变关系 马星桥1吴平平’陈龙庆2 l北京科技大学物理系，2宾夕法尼亚州立大学材料科学与工程系 铁磁性马氏体Hi2MnGa，因其既具有铁磁性。又具形状记忆效应，近年来被广泛的关 以达到10％以上的应变，但是这种戍变在应力卸载之斤并不能够同复。此后Mullnerl21、 Strakal31、Heczko l引、Sarawate[5J等人通过在垂直丁．应力的方向上施加一定火小的磁场后发 现，当没有磁场或磁场很小时，应变在应力卸载后不能同复，而当磁场超过一临界值时， 应力卸载之后，应交能够自动同复，但存在一个滞后。同时他们还发现与之相对应的磁化 强度．应变曲线滞后很小。目前，对这一现象的机理尚未见详细的模型化解释。 近年来相场方法已经在模拟材料的磁畴结构和热弹性马氏体中取得了成功，并且成功 的模拟了铁磁性形状记忆合金NiMnGa中磁弹性行为l们。本文中，我们用相场方法模拟了 不同磁场下NiMnGa合金的应力应变关系，根据所得的磁畴结构和马氏体微结构分析了不 同磁场下的鹿力应变关系，并从介观层次上讨论了应变同复的原因。 铁磁性马氏体中的磁畴结构刚磁化强度M(r)盼空间分布描述，马氏体变体的分布用应 (LLG)方程和time--dependentGinzburg-Landau(TDGL)方程： 州)警=训慨一管州M㈣He，(1)： 挈州嚣，．(2) 式中L是动力学系数，Y。为旋磁比，a为衰二系数，日前一去篆，E是总能量， 为磁晶各向异性能、交换作用能、静磁能、外场能、朗道能、应变梯度能、磁弹性能和弹 性能之和。 图I所示为无外磁场和在x方向加150kA／m稳定磁场情况下的鹿力虑变曲线及不同应 力下的磁畴结构和马氏体微结构的模拟结果。肖在无外场的情况。卜．在Y方向上施加压应力 时，马氏体内C轴沿Y方向的变体长人，同时，C轴沿x方向的变体缩小，孪晶壁发生移 动。相应的磁畴结构中，磁化强度沿x方向与沿y方向磁畴之间的90度畴壁发生移动， 而180度畴壁位置变化较小。当应力增加到7Mpa之后，仅存在Y方向的马氏体变体及磁 畴，沿X方向的磁畴消失。应力卸载之后．马氏体微结构没有明显的的变化，亦没有沿X 方向的磁畴结构生成，由马氏体微结构变化造成的形变不能同复到加载前的初始状态。当 磁场增加到150kA／m时，虽然戍力加载前。与磁场方向相反的磁畴尺度已经缩小，但并没 有完全消失，当应力增加到7Mpa之厉，仍然存在y方fq和-y方向的两种磁畴，应力卸载 之后，未生成沿X方向的磁畴，应变也不能回复到加载前的初始状态。 当磁场增加到300kA／m时(图2)，应力加载前，与磁场方向相反的磁畴已经完全消 失，与之对应的y方向的磁畴也同时消失，材料中仅存在90度的畴壁。当在Y方向对材 料施加从0Mpa到9Mpa的压应力时，材料应变由0增加到5．3％，在这个过程中，马氏 体变体变化过程与无外场时一致，c轴沿y方向的马氏体变体长大．从结果中可看出，由 于这时180度畴肇消火，畴壁移动为90度肇的移动。当卸载应力时，随着应力的降低， 应变开始时下降缓慢，此时材料的磁畴结构和马氏体变体的分布无明显变化，在此阶段中， 应变的降低主要是材料的弹性造成的。当鹿力降到O．8Mpa以下的时，应变随应力降低快 速下降。从模拟结果可以看出，此时与外磁场方向一致的磁畴开始长大，造成900畴壁移 动。由于磁弹性耦合的作用，带动x方向的马氏体变体长大，这时可观察到马氏体孪晶壁 的移动，最终使材料的应变回复到初始状态。 图l：无外场下和x方向150kA／m的磁场下Hi2MnGa的应力应变曲线．结构图表示未加磁场情况下的 ．磁畴结构和马氏体微结构变化。DS：磁畴结构；MS-马氏体徽结构． ．39． 圈3 图2：磁场为300kA／m下Ni2MnGa的应力戍变曲线， 图3；磁场为300kA／m下的约化磁化强度．应交关系ffIf线。 图3为在300kA／m外磁场条f，I：|卜．的磁化强度与应变的关系。在整个廊力加载卸载的过 程中，由于磁弹性耦合作用，材料中磁畴的900畴艟与马氏体孪品界同步变化，应变与磁 感应强度基本保持线性关系，在磁感应强度．应变关系曲