半导体照明技术：第三、四章半导体发光材料晶体导论半导体的激发与发光讲述.ppt

第三章 半导体发光材料晶体导论第四章 半导体的激发与发光 3.4 半导体发光材料的条件 半导体材料的带隙宽度必须大于所需发光波长的光子能量。可见光器件，Eg1.78eV 可获得电导率高的P型和N型晶体。掺杂浓度不应小于1×1017/cm3；高迁移率材料。 可获得完整性好的优质晶体。尽量减少杂质和晶格缺陷。要综合考虑生长方法和衬底的选择。 发光复合概率大。一般来说，直接带隙的半导体材料的发光复合概率较大。能带裁剪工程设计和创造新的发光材料。 4.2 注入载流子的复合 （1）辐射型复合 电子和空穴由于碰撞而复合（直接和间接） 通过杂质能级复合 通过相邻能级的复合 激子复合 （2）非辐射复合 伴随多数的声子的复合 俄歇复合 器件表面的复合 4.2.2 辐射型复合 4.2.2 辐射型复合 通过杂质能级的复合：导带上的电子被电离的杂质所捕获，然后再落到价带上，与空穴复合，并同时放出能量hv 相邻能级的复合：杂质能级间的电子和空穴的复合。如GaAs中硅杂质引起的红外发光 激子复合：除了固定在晶格上的电子和自由电子外，还存在处于它们中间能量的固定在格点上的电子，即处于激发态的电子，激子。激子形成的电子空穴对由于复合发光。 4.2.3 非辐射型复合 阶段地放出声子的复合：由于缺陷和深能级杂质，电子的能量会阶段性的释放，以产生声子。 俄歇复合：电子和空穴复合时，把释放的能量转移给其它的邻近载流子。 表面复合：表面比内部存在更多的缺陷，非辐射概率高 4.4 异质结构和量子阱 异质结：两块具有不同带隙能量的单晶半导体连接而成的。 异质结的界面会由于晶格和热应力失配造成的缺陷，影响异质结的质量。 单异质结 双异质结 4.4 异质结构和量子阱 4.4 异质结构和量子阱 双异质结的有源层厚度下降到与电子的德布罗意波可比拟时（纳米量级），载流子被量子局域在很窄的势垒内，被称为量子阱结构。单量子阱和多量子阱是高亮度LED的通用结构。 4.4 异质结构和量子阱 * 直接跃迁和间接跃迁 （b）间接能隙复合 导带 价带 导带 价带 （a）直接能隙复合 GaAs, GaN和一些三元化合物 是典型的直接带隙材料 电子与光子的相互作用，同时还有电子和声子的相互作用，其发生的概率比直接跃迁发生的概率小 EC EV ED hv EC EV ED hv=1.38eV EA GaAs 1.42eV 0.0058eV 0.035eV Eg1 Eg2 n p ΔEc ΔEv Eg1 n p ΔEc ΔEv Eg1 Eg2 p