多晶硅锭生产技术原理试题.ppt

太阳电池多晶硅锭生产工艺技术原理简介 一、 引言 二、 多晶炉内热场与硅锭的组织结构 三、 定向凝固时硅中杂质的分凝 四、 定向凝固硅晶体生长工艺方法 五、 热交换法多晶炉型 六、 热交换法工艺讨论 七、 结晶炉结构类型的选择 八、 多晶硅片的高效率、高质量生产方向 一、引 言 1976年德国WACKER公司制造第一片大面积的多晶硅太阳电池（100 x 100 mm，转换效率 10%），从每炉锭重12公斤到目前400公斤以上的多晶炉。多晶硅太阳能电池商业化效率在15～17%范围内。1998年后产量超越单晶硅，2001年起大于50%。（晶体硅电池大于90%） 多晶硅片是由大小不同取向各异的硅晶粒组成，存在的晶界、位错、缺陷及杂质影响可通过工艺改善；其氧含量较低，稳定性好。 电池工艺主要采用吸杂、钝化、绒面、背场等技术。 太阳电池多晶硅片生产是直接制备大尺寸方型硅锭，设备和制造过程较简单，低能耗，对硅原料兼容性好，有利于追求低成本和大规模生产。 因技术成熟而快速发展，预计今后仍占主导地位。 产能增长速度比较： 多晶硅片：04=62%，05=40%，06=92%，07=95% 单晶硅片：04=90%，05=53%，06=58%，07=63% 簿膜硅电池：04=61%，05=60%，06=63%，07=70% 对结晶设备的要求：具有合理可控热场提高长晶速度，便于实现高产、优质的优化长晶过程；有效排除和降低氧位；冷却水和氩气流合理分布；设计模拟化；硅锭大型化 多晶硅锭/片/电池生产工艺趋成熟，装备水平快速提高。结晶炉原创生产国：美国GTSOLAR，德国ALD，KR SOLAR，英国CRYSTLUX，法国日本）。目前我国已有4-5家改进型或仿造型产品问世。 二、多晶硅锭的组织结构与结晶炉热场 多晶硅锭结构特征是柱状晶，即晶体生长沿垂直方向由下向上，通过定向凝固的结晶（Directional Solidification-Crystallization) 过程实现。 1、热场：即温度场，是温度分布随时间和空间的变化。实际为非稳态。 熔硅在凝固结晶过程中，通过控制结晶炉内热场，形成可控的单向热流 (晶体生长方向与热流方向相反）。合适的温度场是多晶硅锭形成和获得优质大粒晶体的基本工艺条件。 2、固-液界面：结晶生长前沿，硅在熔点温度下发生熔化-凝固，熔化吸热，是过热过程，凝固放热，是过冷过程。在硅熔点（1422 oC）附近存在固-液界面区。 形状：凹、凸和平坦型。 重要性：关系到硅锭内晶粒尺寸、位错方向、杂质偏聚、热应力分布。 固-液界面的微观结构和移动过程决定了晶体的生长机制。 控制：通过改变结晶炉内部结构（发热器和绝热层的位置、形状）和工艺参数（供电功率、气流状态）就能改变温度场而控制固-液界面。 3、温度梯度：炉内等温线上任一点上的法线，是指向温度升高方向的矢量。 4、热流密度：正比于温度梯度但方向相反的矢量。 q = - k DT (热传导系数k 是温度、压力、晶向的函数） 定向凝固柱状晶生长示意图 5、定向凝固：张晶要求液-固界面处的温度梯度大于0，横向则要求尽可能小的温度梯度；温度梯度和热流保持在垂直方向上；固-液界面保持平坦型，从而形成定向生长的柱状晶。 6、硅结晶的特点：与一般纯金属不同，硅的不同晶面自由能不相同，表面自由能最低的晶面会优先生长，特别是由于杂质的存在，晶面吸附杂质改变了表面自由能，所以多晶硅柱状晶生长方向基本垂直，但常伴有分枝晶。 7、结晶生长前沿的移动速度：取决于热场的变动。是综合控制晶体生长速度和质量的最重要工艺数据。降低液相温度梯度（较小）可提高晶体生长速度，提高固相温度梯度（较大）对提高晶体生长速度起绝对作用，但温度梯度过大，会使热应力过大，引起位错密度增加，造成内裂纹。 8、长晶过程：开始温度梯度大，快速凝固导致小晶粒和断续平行结构； 9、温度波：加热功率或冷却水温、流量的起伏变动，引起温度变动，以有限速率穿透熔硅向固-液界面传播。随传播深度增加而衰减，只有当波长较长、硅液有宏观对流条件下，会抵达固-液界面。 多晶硅锭的柱状晶（带分枝晶）结构 三、定向凝固时硅中杂质的分凝 多晶硅锭的结晶生长是硅的排杂提纯过程，这是基于杂质在硅的固-液相中有不同的溶解度（浓度）。 开始凝固温度和凝固完成温度(溶质使凝固点降低） 固相线和液相线，固相区-液相区-固液相共存区