第5章场效应管及放大器解说.ppt

N沟道JFET，是在一根N型半导体棒两侧通过高浓度扩散制造两个重掺杂P++型区，形成两个PN结，将两个P++区接在一起引出一个电极，称为栅极(Gate)，在两个PN结之间的N型半导体构成导电沟道。在N型半导体的两端各制造一个欧姆接触电极，这两个电极间加上一定电压，便在沟道中形成电场，在此电场作用下，形成由多数载流子——自由电子产生的漂移电流。我们将电子发源端称为源极(Source)，接收端称为漏极(Drain)。在JFET中，源极和漏极是可以互换的。 5.1 结型场效应管 5.1.1结型场效应管的结构（以N沟为例）： 5 场效应管放大电路 场效应管与晶体管不同，它是利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。这种器件不仅兼有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等优点，而且还有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单的优点，场效应管中是多子（一种）导电（单极性器件）。 根据结构的不同场效应管有两种: 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOSFET N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 N沟道 P沟道 N 沟道 JFET P 沟道 JFET 动画(JFET的结构） 5.1.2结型场效应管的工作原理 （1）栅源电压(vGS)对沟道(iD)的控制作用 ②当vGS＜0时， PN结反偏，│vGS│↑时 ?耗尽层加厚?沟道变窄（沟道电阻增 大）。vGS继续减 小，沟道继续变窄。 ③当│vGS│到一定值时 ，沟道会完全合拢， 此时称沟道夹断，对应的栅源电压vGS称为 夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。对于N沟道 的JFET，VP 0。 。 定义：夹断电压Vp —— 使导电沟道完全合拢（消失）所需要的栅源电压vGS。 在栅源间加负电压vGS ，令vDS =0 ①当vGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 vGS iD=0 耗尽层 P+ P+ N d s + - g vGS iD=0 耗尽层 耗尽层 P+ P+ N d s + - g vGS iD=0 耗尽层 耗尽层 P+ P+ d s + - g （2）漏源电压(vDS)对沟道(iD)的控制作用 在漏源间加电压vDS ，当vGS =0 由于vGS =0，所以导电沟道最宽。 ①当vDS=0时， iD=0。 ② v DS↑→iD ↑ →靠近漏极处的耗尽层 加宽，沟道变窄，沟道呈楔形分布。 ③当vDS继续增大 ，使vGD= vG S -vDS=VP时， 在靠漏极处夹断——预夹断，。 预夹断前， vDS↑→iD ↑。 预夹断后， vDS↑→iD 几乎不变。 ④ v DS再继续增大↑→夹断区延长（预夹断点下移）→沟道电阻↑→iD 基本不变。 vGS iD=0 耗尽层 P+ P+ N d s + - VDD vDS + - g vGS iD=0 N d s + - 耗尽层 P+ P+ VDD vDS + - g vGS iD=0 N d s + - 耗尽层 P+ P+ A VDD vDS + - g vGS iD=0 N d s + - 耗尽层 P+ P+ VDD vDS + - g （3）栅源电压vGS和漏源电压vDS共同作用 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断，对于同样的vDS ， iD的值比vGS=0时的值要小。在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP 动画(工作原理） 综上分析可知 ①沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也 称为单极型三极管。 ③JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 ④预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多 ②JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG ?0，输入电阻 很高。 ？ 　 ②电流饱和区(Ⅱ) （恒流区）： 预夹断后。 特点： 1.输出特性曲线： iD=f（ v DS ）│v GS=常数 5.1.3 结型场效应管的特性曲线 ③击穿区(Ⅲ) 。 ④夹断区（截止区）。 v GSVP（即沟道全夹断），此种情况下iD≈0。 N沟道JFET输出特性曲线 截止区 0.8-0.6-0.4- 0.2- 0- iD /mA vDS /V vGS=0V -0.4V -0.8V 4 8 10 12 16 20 预夹断轨迹 Ⅰ区 Ⅱ区 Ⅲ区 四个区： ①可变电阻区(Ⅰ)：预夹断前。 即： △iD = gm△v GS（放大原理） vGS iD=