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介损的一些概念.doc

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介损的一些概念

关于介质损耗的一些基本概念   1、介质损耗 ??? 什么是介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。 2、介质损耗角δ ??? 在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。 简称介损角。 3、介质损耗正切值tgδ ??? 又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。介质损耗因数的定义如下: ??? 如果取得试品的电流相量 和电压相量 ,则可以得到如下相量图:     总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成,因此: 这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。因此现在的数字化仪器从本质上讲,是通过测量δ或者Φ得到介损因数。 ??? 测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。绝缘能力的下降直接反映为介损增大。进一步就可以分析绝缘下降的原因,如:绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。 测量介损的同时,也能得到试品的电容量。如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路,电容量就有明显的变化,因此电容量也是一个重要参数。 4、功率因数cosΦ ??? 功率因数是功率因数角Φ的余弦值,意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。功率因数的定义如下:       ??? 有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ),而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。一般cosΦtgδ,在损耗很小时这两个数值非常接近。 5、高压电容电桥 ??? 高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。通过比对电流相位差测量tgδ,通过对比电流幅值测量试品电容量。因此用电桥测量介损还需要携带标准电容器、升压PT和调压器。接线也十分烦琐。 ??? 国内常见高压电容电桥有:   型? 号 生产厂家 性??? 能 2801 Haefely 西林电桥,手动调节,介损相对误差0.5%,试验室使用。其改进型为2809A。 QS30 上海沪光厂 电流比较仪电桥,手动调节,介损相对误差0.5%±0.00005,试验室使用。 QS1 上海电表厂 西林电桥,手动调节,介损相对误差10%±0.003,现场测量用。支持正反接线,移相或到相抗干扰。 AI-6000分体型 泛华电子 自动调节,红外线遥控,介损相对误差0.2%±0.00005,现场或试验室用。支持正反接线,移相或倒相抗干扰。配合变频电源可变频抗干扰。 ? 6、高压介质损耗测量仪 ??? 简称介损仪,是指采用电桥原理,应用数字测量技术,对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。 ??? AI-6000利用变频抗干扰原理,采用傅立叶变化数字波形分析技术,对标准电流和试品电流进行计算,抑制干扰能力强,测量结果准确稳定。 ??? 国内常见高压介质损耗测量仪有:   型? 号 生产厂家 性??? 能 2816 Haefely 高压输出12kV/200mA,介损误差1%±0.0001(抗干扰方式、指标不祥,估计是移相),正反接线方式,C / L / R测量,总重量104kg。 M4000 DOBLE 高压输出10kV/300mA,介损误差1%±0.0004(变频抗干扰,20倍),正反接线方式,C / L / R测量,笔记本+WINDOWS,45~70Hz,重量66kg。 AI-6000 泛华电子 10kV/200mA,介损误差1%±0.0004,变频法45~65Hz,抗干扰2:1,正、反(含高、低压侧屏蔽)接线方式,CVT自激法,C / L / R测量,模拟西林电桥和电流比较仪电桥,试验室介损精度达到精密电桥标准,29kg。 7、外施 ?? 使用外部高压试验电源和标准电容器进行试验,对介损仪的示值按一定的比例关系进行计算得到测量结果的方法。 8、内施 ?? 使用介损仪内附高压电源和标准器进行试验,直接得到测量结果的方法。 9、正接线 ?? 用于测量不接地试品的方法,测量时介损仪测量回路处于地电位。 10、反接线 ?? 用于测量接地试品的方法,测量时介损仪测量回路处于高电位,他与外壳之间承受全部试验电压。 11、常用介损仪的分类 ? ?现常用介损仪有西林型和M型两种,QS1和AI-6000为西林型。 12、常用抗干扰方法 ? ?在介质损耗测量中常见抗干扰方法有三种: 倒相法、移相法和变频法。AI-6000采用变频法抗干扰,同时支持倒相法测量。 13、准确度的表示方法 ?? tgδ:±(1%D+0.0004) ?? Cx: ±(1%C+1pF) ?? +前表示为相对误差,+后表示为绝对误差。相对误差小表示仪器的量程线性度好,绝对误差小表示仪器的误差起点低。校验

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