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LED芯片制程工艺 LED制程工艺（红黄光系列） LED制程主要可分为三个阶段：前段、中段、后段 （也称：上游、 中游、下游。专业术语则为：材料生长，芯片制备和器件封装。） 如下表所示： 步骤 内容 前段主要是外延片衬底以及外 前段 延层的生长 中段主要包括：研磨、蒸镀、 中段 光刻、切割等过程 后段则是根据不同的需要把做 后段 好的LED封装成各种各样的形式 （续） Al 右图为一颗四元系LED芯 Ti 片的结构，其中： P-GaP-Mg Au 、 GaInP-Al、N-GaP-Si 、 AuBe GaAs是前段工序完成后的产 Au 品；而上面五层和下面四层则 P-GaP-Mg 是中段工序要做的工作。 GaInP-Al 目前超高亮度发光二极管 N-GaP-Si 红黄光系列用AlGaInP 四元系 GaAs 材料是性能最好的，其前段工 序的主要核心技术：MOVPE Au （有機金屬氣相磊晶法）。 AuGeNi Ni Au （续） 上游成品（外延片） 光罩作业 显影、定影 研磨（减薄、抛光） 腐蚀金、铍 去腊清洗、库房 去胶清 洗 正面涂胶保护（P面） LED 合金 化学抛光 工艺 蒸镀钛、铝（P面）