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薄膜磁电阻材料和应用 赖武彦 中科院物理研究所北京，2006年10月 金属的电阻都会随外加磁场而发生微弱变化。l50年前在铁磁性金属中，观察到磁场导 致的电阻变化率可以有百分之几之多，且与磁化强度和电流的方向相关，称为各向异性磁电 阻(AMR)效应。18年前在磁性金属多层膜中，测量到磁场导致的电阻变化率竟高达百分 之几十，故称为巨磁电阻(GMR)效应。AMR效应和GMR效应的物理机制不同。 具有较大磁电阻效应的磁性材料能够感受较低磁场。所以，优良的薄膜磁电阻材料主要 用于制造灵敏的磁场传感器。 长期以来，计算机中半导体芯片的位数按照摩尔定律快速增长。但是，硬磁盘(HDD) 则相形见拙，形成了计算机网络的瓶颈。1980年代以来，改用AMR磁电阻磁头代替感应式 磁头，“读出”硬磁盘上记录的磁信息。从此，计算机硬磁盘步入了高密度时代。真正巨大 的变化发生在1990年代后期。巨磁电阻(GMR)效应是在1988年发现的。GMR多层薄膜 材料一经用作读出磁头，硬磁盘的被动局面立即改变。仅仅十年，计算机硬磁盘的存储密度 就从2GbitS／in2猛升到200Gbits／in2。超过半导体芯片位数的增长速度。 除了计算机硬磁盘以外，低磁场传感器还有很广的应用领域。那里，AMR传感器占据了 主要市场。其种类繁多：如长度和角度测量、数显量具j线性和旋转编码器、地磁场方向测 量、，电流功率计、开关和逻辑器件等。这些传感器广泛用于数控机床、加工行业、汽车控制、 交通管理、家电、民用电表、军用导航等。 磁场传感器的平均尺寸大都在毫微米尺度。因其尺寸小，采用先进的半导体元器件加工 工艺最为方便。首先，将磁电阻材料制成多层薄膜(其厚度从几个纳米到100多纳米)。然 后，经过微米尺度的加工(曝光、刻蚀、连接等)得到磁电阻元件。最后，将磁电阻元件与 驱动电路(半导体集成模块)结合组成应用器件。很多情形下，磁电阻元件和半导体电路元 件可以集成在同一硅片上。既提高了抗干扰能力，也降低了电功耗。 为了实用，磁场传感器必需解决的课题有：差动技术、平衡技术、消除高次谐波、降低 温度效应、减小制备缺陷的影响、补偿或屏蔽外部干扰、减小随机误差和环境稳定性。 结语：薄膜磁电阻效应的物理新颖、材料先进，应用广泛。 20