学习单元2LED制作与封装综述.ppt

1 学习单元2 LED的制造与封装 2.1 LED的衬底材料 2.2 LED的外延工艺 2.3 LED的芯片技术 2.4 LED的封装技术 2.5 白光LED技术 2.6 LED的散热技术 2.1 LED的衬底材料 2.LED衬底材料的种类 1 LED衬底材料的选择要求 提纲 1. LED衬底材料的选择要求 　　1)．衬底与外延膜的结构匹配：外延材料与衬底材料的晶体结构相同或相近、晶格常数失配小、结晶性能好、缺陷密度低； 　　2)．衬底与外延膜的热膨胀系数匹配：热膨胀系数的匹配非常重要，外延膜与衬底材料在热膨胀系数上相差过大不仅可能使外延膜质量下降，还会在器件工作过程中，由于发热而造成器件的损坏； 　　3)．衬底与外延膜的化学稳定性匹配：衬底材料要有好的化学稳定性，在外延生长的温度和气氛中不易分解和腐蚀，不能因为与外延膜的化学反应使外延膜质量下降； 　　4)．材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要，衬底材料的制备要求简洁，成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。　　 2. LED衬底材料的种类 蓝宝石 硅 碳化硅 蓝宝石 蓝宝石衬底 蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。 　 硅衬底? ? 目前有部分LED芯片采用硅衬底。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，分别是L接触和 V接触。通过这两种接触方式，LED芯片内部的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。由于电流可以纵向流动，因此增大了LED的发光面积，从而提高了LED的出光效率。因为硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。 碳化硅衬底? ? 碳化硅衬底（美国的CREE公司专门采用SiC材料作为衬底）的LED芯片电极是L型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。 三种衬底性能比较 三种衬底性能比较 2.2 LED外延工艺技术 2.几种主要的外延材料 3.LED芯片的外延技术及外延设备 1 LED对外延材料的基本要求 提纲 4.外延技术和设备的发展趋势 10 1. LED对外延材料的基本要求 方大集团于2001年9月在国内第一个生产出GaN基LED外延片 对LED芯片外延材料的基本要求及选择考虑通常有以下几点： 1.要求有合适的带隙宽度Eg 2.可获得高电导率的P型和N型晶体，以制备优良的PN结 3.可获得完整性好的优良晶体 4.发光复合概率大 2.几种主要的外延材料 1）AlInGaP外延材料 2）GaN外延材料 3 ）AlInGaN外延材料 4 ）AIGaAs外延材料 5 ）其他新型外延材料 3 LED芯片的外延技术及外延设备 1）VPE设备 VPE设备工作原理 2）MOCVD设备 MOCVD设备 MOCVD设备工作原理 外延片在光电产业中扮演了一个十分重要的角色，而MOCVD外延炉是制作外延片的不可缺少的设备。有些专家经常用一个国家或地区有多少台MOCVD外延炉来街量这个国家或地区光电行业的发展规模，这巳充分说明了MOCVD外延炉的重要性。根据生长的需要，MOCVD外延炉一次可以制出11片或15片外延片，有时也可以制出24片外延片。 4.外延技术和设备的发展趋势 1) 外延技术的发展趋势 A 选择性外延生长或侧向外延生长技术 B 悬空外延技术 C 多量子阱型芯片技术 D “光子再循环”技术 E 研发短波长紫外(UV)LED外延材料 F 氮化氢汽相外延(HVPE)技术 2) 外延设备的发展趋势 A 大型化，以提高生产能力 B 专用化 C 低成本化 D 多工艺、多技术集成化 E 对紫外LED专用MOCVD设备的需求将急剧增加 2.3 LED的芯片技术 2.提高光引出效率的芯片技术 3.电极及电流扩展技术 1 优化芯片发光层能带结构 提纲 1 优化芯片发光层能带结构 1） 双异质结 双异质结能带图 2） 量子阱结构 量子阱结构能带图 高亮度LED所采用的发光层结构及其外量子效率 材料 颜色 峰值波长 发光层结构 外量子效率 ALGaAs 红 650 DH 8％ AlInGaP 红 红 橙 橙 650 636 610 607 DH-TS MQW-TS TIP-MQW-TS DH-TS 16％ 32％ 30％ 16％ AlInGaN 琥珀 黄 黄绿 绿 绿 绿 蓝 紫外 90 585 570 525 570 520 460 405 DH-TS DH DH-TS SQW-TS DH-TS SQW-TS SQW-T