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1.CVD：Chemical Vapor Deposition [在反應器內，利用化學反應將反應物 (通常是氣體 )生成固 態的生成物，並在晶片表面沉積薄膜] CVD藉反應氣體間的化學反應產生所需要的薄膜，因此所 沉積的薄膜，其結晶性(Crystallinity)和當量比 (Stoichiometry) 與材質特性相關等性質優於濺鍍法。 薄膜沈積依據沈積過程中，是否含有化學反應的機制，可以區分為物理氣相沈積（Physical Vapor Deposition，簡稱PVD）通常稱為物理蒸鍍及化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD）通常稱為化學蒸鍍。 2. APCVD系統的優點是具有高沈積速率，而連續式生產更是具有相當高的產出數，因此適合積體電路製程。APCVD系統的其他優點還有良好的薄膜均勻度，並且可以沈積直徑較大的晶片。然而APCVD的缺點與限制則是須要快速的氣流，而且氣相化學反應發生。在大氣壓狀況下，氣體分子彼此碰撞機率很高，因此很容易會發生氣相反應，使得所沈積的薄膜中會包含微粒。通常在積體電路製程中。APCVD只應用於成長保護鈍化層。此外，粉塵也會卡在沈積室壁上，因此須要經常清洗沈積室。 3. LPCVD (低壓化學氣相沈積)是在低於大氣壓狀況下進行沈積。 與APCVD系統相比較，LPCVD系統的主要優點在於具有優異的薄膜均勻度，以及較佳的階梯覆蓋能力，並且可以沈積大面積的晶片；而LPCVD的缺點則是沈積速率較低，而且經常使用具有毒性、腐蝕性、可燃性的氣體。由於LPCVD所沈積的薄膜具有較優良的性質，因此在積體電路製程中LPCVD是用以成長磊晶薄膜及其它品質要求較高的薄膜。 4.PECVD的沈積原理與一般的CVD之間並沒有太大的差異。電漿中的反應物是化學活性較高的離子或自由基，而且基板表面受到離子的撞擊也會使得化學活性提高。這兩項因素都可促進基板表面的化學反應速率，因此PECVD在較低的溫度即可沈積薄膜。在積體電路製程中，PECVD通常是用來沈積SiO2?與Si3N4?等介電質薄膜。PECVD的主要優點是具有較低的沈積溫度；而PECVD的缺點則是產量低，容易會有微粒的污染。而且薄膜中常含有大量的氫原子。 5. HDP CVD[高密度電漿(HDP):電漿密度較PECVD還高的一種電漿設計 ] 顯示以傳統PECVD所沉積的薄膜，其階梯覆蓋的情況 ， 把經PECVD沉積後的晶片，做局部的蝕刻，因乾式蝕刻對尖角 或是外觀角度較小的結構，有較快的蝕刻速率。 6. SACVD次大氣壓化學氣相沈積法 （Sub-atmospheric Chemical Vapor Deposition）下沈積出低應力 的二氧化矽薄膜來進行深溝填補。 7. 電感耦合電漿化學氣相 沈積法（Inductively Coupled PlasmaPlasma Enhanced Chemical Vapor Deposition， ICP PECVD）沈積的氧化 層可以當作封裝的一個材料。 8. 快速熱化學氣相沉積（Rapid thermal CVD， RTCVD）：使用加熱燈或其他方法快速加熱晶圓。只對基底加熱，而不是氣體或腔壁。可以減少不必 要的氣相反應，以免產生不必要的粒子。 快速升溫化學氣相沈積(Rapid-Thermal Chemical Vapor Deposition- RTCVD)系統於Silicon Wafer上成長氮碳化矽(SiCN)之緩衝層(buffer-layer)約2000~10000A，能有效消除Si與GaN之間的晶格不匹配度。RTCVD最大的優點，是在於利用快速的升溫和降溫來使薄膜的成長侷限於所指定之高溫範圍中，如此可以提高所成長薄膜之品質。此外，此系統在低溫下進行氣體切換，將可減少反應氣體的殘留時間。所以RTCVD較易成長各類具有突變接面的結構，且比傳統CVD更容易成長複層結構。 9. 有機金屬化學氣相沉積（Metalorganic chemical vapor deposition， MOCVD）：前驅物使用有機金屬的CVD技術。MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)方法，在低溫(400~800℃)成長GaN緩衝層約100~700 A(成長壓力為200~700Torr)，再以高溫(900~1200℃)繼續成長正式GaN薄膜約0.5~5μm(成長壓力為200~700Torr)，如此得到之薄膜。 10. 超高真空化學氣相沉積（Ultrahigh vacuum CVD， UHVCVD：在非常低壓環境下的CVD製程。大多低於10-6?Pa?(約為10-8?torr）。註：在其他領域，高真空和超高真空大都是指同樣的真空度