CVD繁体.docVIP

1.CVD：Chemical Vapor Deposition [在反應器內，利用化學反應將反應物 (通常是氣體 )生成固 態的生成物，並在晶片表面沉積薄膜] CVD藉反應氣體間的化學反應產生所需要的薄膜，因此所 沉積的薄膜，其結晶性(Crystallinity)和當量比 (Stoichiometry) 與材質特性相關等性質優於濺鍍法。 薄膜沈積依據沈積過程中，是否含有化學反應的機制，可以區分為物理氣相沈積（Physical Vapor Deposition，簡稱PVD）通常稱為物理蒸鍍及化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD）通常稱為化學蒸鍍。 2. APCVD系統的優點是具有高沈積速率，而連續式生產更是具有相當高的產出數，因此適合積體電路製程。APCVD系統的其他優點還有良好的薄膜均勻度，並且可以沈積直徑較大的晶片。然而APCVD的缺點與限制則是須要快速的氣流，而且氣相化學反應發生。在大氣壓狀況下，氣體分子彼此碰撞機率很高，因此很容易會發生氣相反應，使得所沈積的薄膜中會包含微粒。通常在積體電路製程中。APCVD只應用於成長保護鈍化層。此外，粉塵也會卡在沈積室壁上，因此須要經常清洗沈積室。 3. LPCVD (低壓化學氣相沈積)是在低於大氣壓狀況下進行沈積。 與APCVD系統相比較，LPCVD系統的主要優點在於具有優異的薄膜均勻度，