chapter15-电工学综述.ppt

本章要求： 放大的概念: 15.1 共发射极放大电路的组成 15.1 基本放大电路的组成 15.2 放大电路的静态分析 直流通路和交流通路 15.2.1 用放大电路的直流通路确定静态值 15.2.2 用图解法确定静态值 15.3 放大电路的动态分析 15.3.1 微变等效电路法 15.3.2 动态分析图解法 15.3.2 动态分析图解法 15.4 静态工作点的稳定 一、 温度变化对静态工作点的影响 二、分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 二、分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 15.5 放大电路的频率特性 15.6 射极输出器 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 15.7 差分放大电路 15. 7. 1 差动放大电路的工作原理 1. 零点漂移的抑制 2. 有信号输入时的工作情况 2. 有信号输入时的工作情况 (3) 比较输入 (3) 比较输入 15. 7. 2 典型差动放大电路 15.8 互补对称功率放大电路 15.8.1 对功率放大电路的基本要求 15.8.2 互补对称放大电路 1. OTL电路 15.9 场效晶体管及其放大电路 15.9.1 绝缘栅场效晶体管 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区 可变电阻区 恒流区 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω 漏极特性曲线（分三个区域） 可变电阻区：当VDS 较低时， VGS 一定时， 这个电阻受VGS 控制、可变。 漏极特性曲线（分三个区域） 恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大 漏极特性曲线（分三个区域） 恒流区：当UGSUGS(Th)后，若持续增加UDS 会使靠近漏极处的导电沟道变窄甚至夹断，使导电沟道成楔形由此产生了阻碍漏极电流提高的因数，但由于夹断处场强也增大，仍能将电子拉过夹断区形成漏极电流，这和双极型晶体管在集电结反偏时仍能把电子拉过耗尽层基本上是相似的。所以当UDS达到预夹断电压后，iD基本上不随UDS增加而上升漏极电流趋于饱和。 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 15.9.2 场效应管放大电路 15.9.3 场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 (2) 动态分析 N型衬底 P+ P+ G S D 符号： 结构 (4) P沟道增强型 SiO2绝缘层 加电压才形成 P型导电沟道 增强型场效应管只有当∣UGS ∣? ∣UGS(th）∣时才形成导电沟道。 G S D 符号： 如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。 (1 ) N沟道耗尽型管 SiO2绝缘层中 掺有正离子 予埋了N型 导电沟道 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS= 0时，若漏–源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生。 当UGS 0时，使导电沟道变宽， ID 增大； 当UGS 0时，使导电沟道变窄， ID 减小； UGS负值愈高，沟道愈窄， ID就愈小。 当UGS达到一定负值时，N型导电沟道消失， ID= 0，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。这时的UGS称为夹断电压，用UGS(off）表示。 这时的漏极电流用 IDSS表示，称为饱和漏极电流。 (2) 耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 夹断电压 耗尽型的MOS管UGS= 0时就有导电沟道，加反向电压到一定值时才能夹断。 UGS(off) 转移特性曲线 0 ID/mA UGS /V -1 -2 -3 4 8 12 16 1 2 UDS=常数 IDSS (3) P 沟道耗尽型管 符号： G S D 予埋了P型 导电沟道 SiO2绝缘层中 掺有负离子 G S D G S D 增强型 N沟道 P沟道 G S D G S D N沟道 P沟道 G、S之间加一定 电压才形成导电沟道 在制造时就具有 原始导电沟道 (1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： (3) 饱和漏电流 IDSS： 是结型和耗尽型 MOS管的参数 (4) 低频跨导 gm：表示栅源电压对漏极电流