声表面波滤波器的叉指换能器技术演进概述.docVIP

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声表面波滤波器的叉指换能器技术演进概述.doc

声表面波滤波器的叉指换能器技术演进概述   摘 要:声表面波(SAW)滤波器因具有带外抑制性好、体积小等特点,广泛应用于移动通信领域。文章首先介绍了SAW滤波器的工作原理;然后从专利申请角度对国内外SAW滤波器发展状况进行梳理;随后从SAW滤波器的叉指换能器电极结构对SAW滤波器中的关键技术进行了分析;最后,对SAW滤波器的发展进行了总结。   关键词:声表面波;滤波器;叉指换能器   引言   声表面波是一种沿物体表面传播的弹性波, SAW技术在雷达、广播电视等领域获得广泛应用[1]。然后随着移动通信飞速发展,SAW器件的需求急剧增长,声表面波技术越来越得到重视。随着制造技术的发展,SAW器件性能的优越性越来越凸显,因其频率响应平坦、体积小等优点而得到广泛的应用[2],随着SAW滤波器的广泛应用,对其性能要求也越来越高,由此使SAW滤波器技术迅猛发展。   1 SAW滤波器国内外的发展状况   作者对历年来SAW滤波器的国内外专利申请进行了梳理,如图1所示。从全球专利申请量来看,在20世纪80年代中后期,由于电视、卫星通信的发展,SAW滤波器技术随之发展,出现了第一次专利申请峰值;随后在90年代中后期,随着移动通信的发展,SAW滤波器因其体积小、损耗低被大量应用于手机等通讯设备中,其专利申请量出现第二次峰值,但随着SAW滤波器技术的日趋完善,全球SAW滤波器的相关专利申请从2005年左右开始有下降趋势。   从国内专利申请量来看,国内SAW滤波器技术从上世纪90年代开始发展,在20世纪末到21世纪初,SAW滤波器技术在国内开始迅速发展,但由于国内整体起步较晚,技术发展相对较慢,因此近年来在SAW滤波器技术方面的国内专利申请量依然保持平稳发展态势。   2 SAW滤波器的IDT电极技术发展及关键技术   SAW滤波器的主要组成有输入输出IDT电极和压电基片,与SAW滤波器性能密切相关的因素即是IDT电极的设计,因此,文章从IDT电极设计这一技术分支分析了SAW滤波器的技术发展路线。   第一份完整描述SAW滤波器结构的专利申请是1966年的一份美国专利申请(US3446974A),其采用无SAW内反射的双向IDT结构,这种滤波器即使在理想的声电转换下也有至少6dB的双向损耗。交错叉指换能器(IIDT)是1969年出现的一种低损耗SAW滤波器结构(US3582840A),如图2所示,其由三个IDT构成一个横向滤波器,两边的IDT结构相同,中间的IDT是中心对称的,中间的IDT与负载阻抗匹配时,能检测到从两边IDT传向中间的所有激励的声表面波,不会产生声表面波反射,其产生的双向损耗是3dB,因此降低了横向滤波器的双向损耗。   在此之前的滤波器均采用均匀抽样的IDT结构,但均匀抽样的IDT结构实现宽带滤波器时存在损耗大的问题,因为周期抽样的IDT结构滤波器在其同步频率处声电转换效率最高,偏离中心频率越远,声电转换效率越低,因此倾斜换能器滤波器结构被提出(US4616197A),如图3所示,电极沿着器件孔径方向是周期变化的,器件上部激励通带高频部分的信号,器件下部激励低频部分的信号,将滤波器划分成不同频率的很多子通道,每个通道产生不同频率的窄通带,最终合成一个宽通带,由此实现较宽频带的滤波器设计。   将声表面波谐振器作为电路元件的滤波器结构(JPH0766676A)   自提出以来引起了研究者的极大关注,将该种滤波器称为阻抗元滤波器(IEF),如图4所示,常见的阻抗元滤波器有π型、X型和梯形三种结构。阻抗元滤波器的插入损耗低,功率承受能力强,近端抑制高,其在射频前端双工系统中使用中具有优势。   3 结束语   SAW滤波器伴随着移动通信的发展,为现代移动通信作出了很大的贡献,其在性能上已表现卓著,但依然也面临着更大的挑战,移动通信频率的逐渐提高促使SAW滤波器也将向高频、宽带化发展,同时其功率承受能力也是一个重要因素,如何设计出同时兼具高频宽带、低损耗、小体积的SAW滤波器也是未来研究者面临的一个重要挑战。   参考文献   [1]曹亮,秦廷辉.声表面波滤波器技术及发展[C]//中国电子学会电子元件学术年会,2006.   [2]黄刚.声表面波滤波器的应用及发展[J].电子元器件应用,2002(3):24-25. 3

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