1第一章半导体器件教程.ppt

1.2.3 ＰＮ结的击穿 ＰＮ结的击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿。 当反向电压足够高时, 阻挡层内电场很强, 少数载流子在结区内受强烈电场的加速作用, 获得很大的能量, 在运动中与其它原子发生碰撞时, 有可能将价电子“打”出共价键, 形成新的电子、 空穴对。这些新的载流子与原先的载流子一道, 在强电场作用下碰撞其它原子打出更多的电子、空穴对, 如此链锁反应, 使反向电流迅速增大。这种击穿称为雪崩击穿。  所谓“齐纳”击穿, 是指当ＰＮ结两边掺入高浓度的杂质时, 其阻挡层宽度很小, 即使外加反向电压不太高(一般为几伏), 在ＰＮ结内就可形成很强的电场(可达2×106 V/cm), 将共价键的价电子直接拉出来, 产生电子-空穴对, 使反向电流急剧增加, 出现击穿现象。  对硅材料的ＰＮ结, 击穿电压ＵＢ大于７V时通常是雪崩击穿, 小于４V时通常是齐纳击穿；ＵＢ在４V和７V之间时两种击穿均有。由于击穿破坏了ＰＮ结的单向导电特性, 因而一般使用时应避免出现击穿现象。  发生击穿并不一定意味着ＰＮ结被损坏。 1.2.5 半导体二极管 ★二极管的简易测试 将万用表置于R×100或R×1k(Ω)挡（R×1挡电流太大,用R×10k(Ω)挡电压太高,都易损坏管子）。