模拟电子技基础_课后答案.doc

第一章 1．杂质半导体分为 ( N ) 型和 ( P ) 型。自由电子是 ( N ) 型半导体中的多子。空穴是 (P ) 型半导体中的少子。 2．杂质半导体中的少子因 ( 本征激发 ) 而产生，多子主要因 ( 掺杂 ) 而产生。 3．常温下多子浓度等于 ( 杂质 ) 浓度，而少于浓度随 ( 温度 ) 变化显著。 4．导体中的 ( 扩散 ) 电流与载流子浓度梯度成正比； ( 漂移 ) 电流与电场强度成正比。 5．当 ( P ) 区外接高电位而 ( N ) 区外接低电位时，PN结正偏。 6，PN结又称为 ( 空间电荷区 )、( 耗尽层 )、( 阻挡层 )和 ( 势垒区 )。 7．PN结的伏安方程为( )。该方程反映出PN结的基本特性是 ( 单向导电性 ) 特性。此外，PN结还有 ( 电容 ) 效应和 (反向击穿 )特性。 8．PN结电容包括( 势垒 )电容和( 扩散 ) 电容。PN结反偏时，只存在 ( 势垒) 电容。反偏越大，该电容越 ( 越小 )。 9．普通Si二极管的导通电压的典型值约为 ( 0.7 ) 伏，而Ge二极管导通电压的典型值约为( 0.3 )伏。 10．( 锗 ) 二极管的反向饱和电流远大于( 硅 ) 二极管的反向饱和电流。 11．PN结的反向击穿分为( 齐纳 )击穿和( 雪崩 )击穿两种机理。 12．稳