11放射性废物桶探测技术教案.ppt

改进型分段γ扫描技术 假定各层内物质、核素均匀分布是引起分段γ扫描技术测量精度低的主要原因。 实际上，核素非均匀分布，多数是以“热点” 形式存在，准确测量这些大活度“热点” 是提高测量精度的主要途径。 对于废物桶内的填充物质，在不含有大块金属物件的情况下，经压实或固化后的物质密度变化不大。 因此，改进型分段γ扫描技术一般假定各层内物质、核素不均匀分布。 如何应对“核素不均匀分布”的假定，建立测量和重建模型，是改进型分段γ扫描技术的技术核心。 探测器计数的概率表达式 废物桶匀速旋转时，点源可等效为环形线源 针对一个段层，探测器测到光子计数率为： α为分支比；R为废物桶半径；I为层内放射性核素总活度；pr为该核素活度在半径r上概率密度函数，E为该半径环源对探测器的探测效率。 如果假设核素均匀分布，概率密度函数为 ： 因此探测器测到光子计数率为： 探测器种类 气体探测器： 电离室：脉冲电离室、电流电离室、累计电离室； 正比计数器、G-M计数管； 闪烁探测器： NaI（Tl）单晶γ谱仪；BGO（锗酸铋）探测器 半导体探测器： 金硅面垒半导体探测器、高纯锗（HPGe)探测器、锂漂移硅探测器； 其它探测器：原子核乳胶、固体径迹探测器、气泡室、火花放电室、多丝正比室、切伦科夫计数器、热释光探测器 辐射探测器介绍 气体探测器 气体探测器是一个内部充有特定气体、两电极间（高压极和收集极）加有电场的小室形探测器。 利用收集辐射在气体中产生的电离电荷来探测辐射。 闪烁体探测器 闪烁探测器是利用某些物质在核辐射作用下会发光的特性探测核辐射的，这些物质称为荧光物质或闪烁体。 光电器件（常用光电器件为光电倍增管，射线强时用光电管）将微弱的闪烁光转变为光电子，光电子经多次倍增放大后，输出一个电脉冲。 半导体探测器 20世纪60年代以后迅速发展起来的一种新型核辐射探测器，以半导体材料为探测介质。 半导体探测器的工作原理和气体电离室的十分相似，故又称固体电离室。 半导体探测器与电离室比较 半导体探测器的工作原理类似于电离室，但它比电离室有一些明显的优点： 半导体的密度比气体密度大许多（三个数量级），半导体探测器和电离室输出同样大小脉冲时，半导体探测器体积可小很多； 半导体的平均电离能（约3eV）比气体的平均电离能（约30eV）小一个数量级，带电粒子在半导体探测器内损失同样的能量产生的电子-空穴对要多得多，电子-空穴对的统计涨落小得多，半导体探测器的能量分辨率要好得多； 主要缺点： 对辐射损伤较灵敏，受强辐照后性能变差； 常用的锗探测器，需要在低温（液氮）条件下工作，甚至要求在低温下保存，使用不便。 高纯锗（HPGe)探测器 高纯锗探测器是在20世纪70年代研制出来的一种新型半导体探测器； 本质上也是PN结型半导体探测器； 高纯锗杂质浓度可以降低到（109~1010）原子/cm3，相应的电阻率很高，使偏压不到1000V时耗尽深度就可以达到10mm，所以可获得较大的灵敏体积； 高纯锗（HPGe)探测器 平面型高纯锗探测器灵敏区厚度一般在5～10mm，可以用于测量E220MeV的α粒子，E60MeV的质子，E10MeV的电子和能量E 300keV的低能X和γ射线。 同轴型HPGe探测器灵敏区体积可达约400cm3，用于E10MeV的γ射线能量测量。 （1）一般平面型 （2）沟槽式平面型 （3）P型同轴型 （4）N型同轴型 废物桶内放射性核素的特点 废物桶内主要存在的核素： 0.3~0.5MeV： Cr-51（0.32MeV） 0.5~1.0MeV： Sb-122（0.5639MeV） Sb-124（0.6027MeV） Cs-137（0.6617MeV） Zr-95（0.7242MeV） Nb-95（0.7653MeV） Co-58（0.8108MeV） Mn-54（0.8348MeV） 1.0~2.0MeV： Co-60（1.1732MeV，1.3325MeV） Eu-152（1.408MeV） 全能峰 ：入射γ射线的能量全部损失在探测器灵敏体积内时，探测器输出的脉冲形成的谱峰为全能峰。 全能峰 能量刻度 能量刻度就是确定谱仪测得的谱峰值所对应的γ射线的能量。 能量刻度的方法是在一定试验条件下，利用几个已知能量的γ放射源，测出对应能量的全能峰峰位 (一般为道址)，得出一组数据。然后用作图法或数据拟合法做出全能峰位置与γ射线能量的关系曲线。 γ能谱定量分析 目标：找出被测样品所发射的γ射线能量，从而确定样品中含有什么核素及其活度。 步骤：谱光滑，寻峰，划分峰区，重峰分解