12第4章IGBT教案.ppt

* ●延时搜索关断波形：插图8所示。 正常工作时，栅极驱动电压UGE为15V； 发生短路故障时，短路电流ISC急剧增加，UCE也随之增大，此刻及时将UGE降至10V左右，则短路电流显著减小； 在“延时搜索”结束时，故障仍存在，则将UGE降至0V，使故障切除。 插图8 利用降低UGE的方法使短路 电流ISC减小的工作波形示意图 UGE UGE UCE t1 t2 * ● 延时搜索关断实例：试验证明，当50A的IGBT出现短路过电流故障时，在过电流开始瞬间，立即将栅压UGE由15V降至10V，可使过电流幅值由250A降至100A左右，其短路过电流承受时间由5μs延长至15μs。 ● 延时搜索关断电路：插图9所示。 ☆ 正常导通：IGBT饱和压降小于给定电压Uref，比较器输出低电平，MOS管VFl与VF2均截止，IGBT的栅极驱动电压不变。 插图9 IGBT短路保护驱动 电路功能示意图 UC UGE Uref +Ucc * ☆ 过电流故障时： IGBT的集-射间电压UCE增大，当超过Uref时，比较器输出高电平，定时器启动； 与此同时，VF2开通，使IGBT的栅极电压降至VS的稳压值UZ。 如果在定时周期结束之前故障消失，比较器输出又返回低电平， VF2转回截止，恢复正常栅极电压，IGBT继续正常工作。 插图9 IGBT短路保护驱动 电路功能示意图 UC UGE Uref +Ucc 如果在定时周期终了时故障仍存在，则定时器输出高电位，VF1开通，IGBT的驱动电压被切除，迫使IGBT关断。 注意：只是示意图。应使保护电路只工作在IGBT导通期间。并且要考虑到IGBT的开通时间。IGBT的断态时间保护电路不能动作。 * 插图9 IGBT短路保护驱动 电路功能示意图 UC UGE Uref +Ucc * 7. 具有降栅压延时关断过电流保护功能的实用IGBT驱动电路 +20V +5V 过流后1.5μs开通 过流后10μs开通 * 其工作原理如下： 正常工作时，晶体管V1处于正偏压导通状态，控制电压VCC = V‘CC = +20V。当控制信号有效时，6N136快速光耦合器的输出信号为高电平，V3管导通，栅控电压UGE = +15V，IGBT快速导通。 开通过程中，由R6、C1组成的延时电路使V5保持截止状态，约经1.5μs后， IGBT已饱和导通，且导通压降UCE很低，通过VDF的钳位作用， VM只能为低电平，VS1、VS2截止，所以在IGBT正常工作时V5总是处于截止状态。 * 一旦过电流，UCE升高，这时VDF反向关断，阻止主回路高压窜入控制回路，于是VM随C1充电电压上升而增加。 降栅压：当过电流现象持续发生1.5μs左右时，VM值使得VS2得以导通，V2也随之导通，并使V1截止，控制电压VCC降至+15V，UGE降至+10V。 假电流：在10μs之内，若VM又恢复到低电平(VDF 导通），则为假过电流现象，电路恢复正常工作。 真过流：若过电流10μs 以上，即真过流，因VM持续上升，使VS1导通，V5导通，由于C2的放电，使IGBT低速关断。 同时通过TLP521发出本路过电流信号，去触发RS锁存器A2，使其翻转，Q端输出“0”，经过GAL16V8可编程逻辑器件A3逻辑控制去封锁本路及其他各路IGBT，起到分散式就地过电流检测与保护的作用。 * 8. HL402A（B）具有降栅压、延时软关断保护功能的IGBT厚膜集成驱动电路 HL402具有先降栅压、后软关断的双重短路保护功能，其降栅压延迟时间、降栅压时间、软关断斜率均可通过外接电容器进行整定，因而可以适应不同饱和压降IGBT的驱动和保护。 HL402采用标准单列直插式17引脚厚膜集成电路封装，对外引出15个引脚。各引脚的名称、功能及用法如下： 引脚①：驱动输出脉冲负极连接端，接发射极。 引脚②：驱动输出级正电源连接端。+25~28V。 引脚③：驱动输出脉冲正极连接端。经电阻RG接栅极。 引脚④、⑩：驱动输出级电源参考地端。 * 引脚⑤：软关断斜率电容C5连接端。 引脚⑥：软关断报警信号输出端，低电平有效。 引脚⑦、14 、15 ：空脚。使用中悬空。 引脚⑧：降栅压报警信号输出端，低电平有效。 引脚⑨：集电极电压信号输入端。经快恢复二极管接至被驱 动IGBT的集电极，检测IGBT的饱和压降。 引脚 11 ：降栅压延迟时间电容器C6连接端。一般可不接。 引脚 12 ：降栅压时间定时电容器C7的连接端。 引脚 13 ：饱和电压检测输出端。 引脚16 ：内置光耦发光二极管的阴极连接端。 引脚 17 ：内置光耦发光二