武汉科技大学2009级电磁场与电磁波A卷.docxVIP

试 题2010 年~ 2011 年第 二 学期课程名称： 电磁场与电磁波 专业年级： 电子信息工程2009级 考生学号： 考生姓名： 试卷类型： A卷 ■ B卷 □ 考试方式: 开卷 □ 闭卷 ■………………………………………………………………………………………………………一、填空题（每空2分，共30分）已知，则=______。圆球坐标系中，沿方向的有向面元______。（用表示为矢量的形式）在均匀介质中发生极化后，极化电荷的体密度_____0。（填大于、小于或等于）处于静电平衡状态的导体，其内部的电位梯度=______。时变电场的方向与时变磁场的方向处处相互______。在恒定电流场中，电流密度通过任一闭合面的通量为______。根据静电比拟，用电容、介电常数、电导率表示电阻为=______。当运动电荷垂直磁通密度的方向运动时，受到的磁场力大小为______。在抗磁性介质中，磁化后合成磁场的强度______外加磁场的强度。（填：大于、小于或等于）理想导体与介质的分界面上，自由电荷的面密度的大小等于分界面上介质一侧的______的大小。复能流密度矢量的______表示能量的交换。（填：实部或虚部）已知真空中平面波的波长为，则平面波在相对磁导率=9，相对介电常数=16的介质中波长为______。空气中的电场强度 V/m，则位移电流密度______。已知一平面波的磁场方程为，该平面波的传播方向为沿______方向。驻波的相位与______无关。二、简答题（每题6分，共18分）写出良导体的集肤深度公式。为什么良导体可以屏蔽高频时变电磁场？写出能流密度矢量的瞬时值及复能流密度矢量的计算公式，并说明两者之间的联系。写出电介质的结构方程（本构方程），并说明其中非矢量参数的取值范围。三、解答题（共52分）(1) 若带电球的内外区域中的电场强度为，以无穷远处为电位0参考点，试求球内外各点的电位。（10分）(2) 如图1，已知圆柱型电容器的长度为L，内外半径为a和b，填充的媒质分为两层，界面的半径为c，在arc的区域中，媒质的参数为ε1和σ1，在crb的区域中，媒质的参数为ε2和σ2。如果内导体上电位为V，外导体上电位为0，试求两种媒质中，各自的电流密度。(15分)acbV0媒质1媒质2电容器截面图 图1 圆柱型电容器的截面图(3) 如图2所示，有一面密度的无限大电流薄片置于y=0的平面上，周围媒质为空气。试求场中各点的磁感应强度。（10分）yxzo图2 无限大的电流薄片(4) 频率f=108Hz的均匀平面波从理想介质（ε=9ε0，μ=μ0，σ=0）中沿方向垂直入射到位于z=0处的理想导体平面上，已知入射波电场强度最大值复矢量为 V/m试求： 入射波的相速vp、波长λ、相位常数k和波阻抗Z；判定入射波的极化状态（如果可能，同时判定旋转方向），简要写出判定理由；反射波的电场强度瞬时值表达式和复数表达式，并判定反射波的极化状态（如果可能，同时判定旋转方向）；反射波的磁场强度瞬时值表达式和复数表达式. （17分）（试题共4页）注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分，若考生须在试题图上作解答，请另附该试题图。3、请在试卷类型、考试方式后打勾注明。（第 1 页）注：1、教师命题时题目之间不留空白； 2、考生不得在试题纸上答题，教师只批阅答题册正面部分。（第1页）