信息材料复习教材.doc

第1章 1、现代信息的定义？信息材料包含几大部分？ 现代信息技术的定义：现代信息技术是以微电子和光电子学为基础，以计算机与通讯技术为核心，对各种信息进行收集、处理、存储、传递和显示的综合技术。 信息材料的定义：信息材料是指用其各种物理、化学特性，实现信息收集、处理、存储、传递和显示的材料 传统信息的定义：信息是客观世界各种事物特征和变化的反映。 现代信息的定义：信息是物质、事物、现象的属性、状态、关系标记的集合。 2、信息技术的定义是什么？ 3、信息材料与信息技术的关系？ 4、迄今为止，人类社会已经发生过哪四次信 息技术革命？ 第2章 1、传感器的定义 传感器是借助于检测元件接收一种形式的信息，并按一定的规律将所获取的信息转换成另一种信息的装置。 目前，传感器转换后的信号大多为电信号。因而从狭义上讲，传感器是把外界输入的非电信号转换成电信号的装置。 2 、PN结和平面MOS器件的工作原理 3、信息获取材料的主要特征 信息获取材料在外场作用下，其物理性质（主要为光电性质）将发生迅速的、线性的改变。在外场取消以后，信息获取材料的性质立即有恢复原状。 4、什么是PTC、NTC和CTR材料？ PTC是正温度系数（Positive Temperature Coefficient）的缩写。 随着材料科学的迅猛发展，PTC电阻的应用已从电子领域进入到电力领域，其能容和耐压水平都有了大幅度的提高，单片通流容量 ≥1KA，耐压≥1200V，其阻值变化范围大于兆欧级，居里温度点Tc根据需要可在80～120℃之间选择。随着温度增加，材料电阻增加。 PTC材料主要是以BaTiO3或V2O3为基的热敏陶瓷 NTC-负温度系数热敏材料 随着温度增加，材料电阻减小。 可分为低温、常温和高温NTC热敏电阻材料等几类 低温（300K）NTC热敏电阻材料主要是由MnO、CoO、NiO、Fe2O3、CuO等两种或两种以上的氧化物构成的一些AB2O4尖晶石型氧化物半导体陶瓷。这类材料的负电阻温度系数大、性能稳定，可以在空气中使用，被广泛用于低温测温和控温。 常温（300~570K）NTC热敏电阻材料为AB2O4尖晶石型的含Mn氧化物。 高温（570~1773k）NTC热敏电阻材料的种类较大，一般分为AO2萤石型、AB2O4尖晶石型、ABO3钙钛矿型和Al2O3刚玉型四种类型。 临界温度（CTR）热敏电阻材料 CTR热敏电阻材料是指在一定的温度，发生半导体-金属间相变，从而呈现负电阻突变特性的一类材料。 主要是一些以VO2为基的半导体材料。工艺上是用将V2O5陶瓷材料在1000℃左右的还原气氛中烧结并急冷的方法来制备VO2基半导体材料的。VO2的相变温度约为68℃。 5、霍尔传感器工作原理，主要优点。 金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。 霍尔器件优点：结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀 6、什么是内、外光电效应？ 光电效应:当具有一定能量的光子作用到某些物体上, 转化为该物体中一些电子的能量而产生电效应，这种现象称为光电效应。 光电效应一般分为外光电效应、光电导效应和光生伏特效应三类。后两类又称为内光电效应，根据这些效应可制成不同的光电转换器件(或称光敏元件)。 外光电效应：光线照射在某些物体上，而使电子从这些物体表面逸出的现象称为外光电效应，也称光电子发射，逸出的电子称为光电子。 2）内光电效应：光照射在半导体材料上，材料中处于价带的电子吸收光子能量，通过禁带跃入导带，使导带内电子浓度和价带内空穴增多，即激发出光生电子-空穴对，从而使半导体材料产生电效应。 光子能量必须大于材料的禁带宽度ΔEg才能产生内光电效应。 内光电效应按其工作原理可分为两种：光电导效应、光生伏特效应 7、太阳电池工作原理。 太阳电池是利用pn结内建电场作用，分离入射光产生的电子-空隙对，在正负电极形成电势。 当入射太阳光能量大于吸收层半导体能隙时，入射光与半导体相互作用可以产生光生载流子，所产生的电子-空穴对靠半导体内形成的内建电场分开到两极，正负电荷分别被上下电极收集。由金属导连接正负电极对外提供电能。 8、名词解释CCD、CMOS CCD Charge Coupled Device 电荷耦合器件 原理 利用金属-绝缘体-半导体(MIS)电容结构,在MIS电容的金属 极板上施加正向电压, 半导体中的载流子(电子)会在绝缘体与半导体界面,半导体则形成一定厚度的空间电荷区。在施加电压的瞬间，电子不能跟上外界变化，此时的强反型对电子是一个势阱。外加电