CPU制造工艺综述.pptxVIP

The Manufacturing Process Of Central Processing Unit (CPU) ——cpu制程 现代制造 姓名：谢雪范 学号：2016412033 Cpu制造工艺 CPU制造工艺，又称为CPU制程，该工艺决定CPU性能的优劣。CPU的发展史也可以视为其制作工艺的发展史，以CPU为代表的芯片制造水平是一个国家科研水平的标志。 当今世界仅少数几家厂商具备CPU研发和生产能力，PC用CPU领域主要为Intel、AMD ；手机用CPU主要有Qualcomm（骁龙）、MediaTek.Inc （MT系列）、Apple（A系列，由三星或台积电代工）、TI、SAMSUNG、华为（海思）等。 下面以Intel的产品为例，了解CPU的制造过程和纳米制作工艺。 CPU的生产过程 1.硅提纯 生产 CPU 的材料是半导体硅 Si， 且须是纯净的单晶硅才适合于制 造各种微小的晶 体管。 首先把含 硅元素的原材料 （如石英）放进 石英熔炉熔化。 然后向熔炉里放入一颗晶种，硅晶体围着这颗晶种生长， 直到形成圆柱型的单晶硅锭。此操作被称为硅提纯，提纯后的硅纯度在99.99% 以上。 Cpu生产过程 2. 切割硅锭 圆柱体硅锭被切割形成类似光盘状的片状硅晶片被称为晶圆。 晶圆被用于 CPU 的制造， 将其划分成数十或数百个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU 的内核， 切割出来的晶圆越薄， 每个圆柱体硅锭形成的晶圆就会越多， 每个硅锭制造的 CPU 内核就会越多，利用率越高。切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。 工艺要素：晶圆尺寸 晶圆尺寸是在半导体生产过程中硅晶圆使用的直径值。 Cpu生产过程 晶圆尺寸越大越好，因为这样每块晶圆能生产更多的芯片。但晶圆生产过程中，离晶圆中心越远就越容易出现坏点，因此晶圆中心向外扩展，坏点数呈上升趋势，无法随意地增大晶圆尺寸。 3. 影印 紫外线透过印制着CPU复杂电路结构图样的掩模(Mask)照射涂敷光刻胶(Photo Resist)的晶圆上，被紫外线照射的光刻胶溶解并发生化学反应，类似于机械相机的曝光，从而在晶圆表面形成 CPU复杂电路结构图。为避免不需要曝光的区域也受到光的干扰， 通常用石英遮罩来遮蔽这些区域。 Cpu生产过程 Cpu生产过程 蓝色部分为光刻胶 掩模 蚀刻 4. 蚀刻 蚀刻是CPU制造过程中最重要的技术。即在影印后，使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光刻胶和紧贴着光刻胶的一层硅。然后用原子轰击曝光的硅基片实现掺杂，进而改变这些区域的导电状态，制造出N井（N well）或P井(P well)，再结合影印阶段制造的基片，形成以晶体管为主体的CPU门电路。 工艺要素：蚀刻尺寸 蚀刻尺寸是制造设备在一个硅晶圆上所能蚀刻的一个最小尺寸，是CPU核心制造的关键技术参数。 Cpu生产过程 在制造工艺相同时，晶体管越多处理器内核尺寸就越大，一块晶圆所能生产的芯片的数量就越少，每颗CPU的成本就要随之提高。反之，如果更先进的制造工艺，意味着所能蚀刻的尺寸越小，一块晶圆所能生产的芯片就越多，成本也就随之降低。比如8086的蚀刻尺寸为3μm，Pentium的蚀刻尺寸是0.90μm，而Pentium 4的蚀刻尺寸当前是0.09μm（90纳米）。目前Intel的300mm尺寸硅晶圆厂可以做到0.065μm（65纳米）的蚀刻尺寸。 Cpu生产过程 离子注入原理 离子注入(Ion Implantation)：在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性（即形成N井或P井）经过电场加速后，注入的离子流的速度可以超过300000km/h。 MOS管相较于一般晶体管体积小、重量轻、能耗小、寿命长，且易于集成，因此在大规模、超大规模数字集成电路中应用广泛。 例—MOS管 N沟道增强型MOS管工作原理 Cpu生产过程 5. 重复、分层 为了在硅基片上形成新的一层电路，需再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷硅氧化物，重复影印、蚀刻过程，得到含多晶硅和硅氧化 物的沟槽结构。重复数十遍，最终 形成一个3D结构的晶体管及附属 电路，这是最终的核心CPU。依据 CPU的晶体管及线路布局，以及通 过CPU的电流大小决定CPU层数，层与层中间用金属铜或铝填充。 如AMD的 Athlon 64 ，其CPU达到9层结构。 CPU的多层结构 6. 电镀、抛光 电镀即在晶圆上电镀一层薄薄