分辨力增强技术的频谱分析.pdfVIP

第27卷第10期 2007年10月 光学学报 ACTA oPTICA SINICA V01．27．No．10 Octoher，2007 文章编号：0253 2239(2007)10—1758—7 分辨力增强技术的频谱分析。 孙知渊1’2 李艳被1 ，1中国科学院电工研究所，北京100083、 12中国科学院研究生院，北京100039 J 摘要：离轴照明和衰减型相移掩模作为重要的分辨力增强技术，不仅可以提高光刻的分辨力，同时还可以改善成 像焦深，扩大光刻工艺窗口，实现65～32 nm分辨成像。从频谱的角度分析了离轴照明和衰减型相移掩模对成像 系统交叉传递函数和像场空间频率分布的影响，研究这两种技术的物理光学本质，由此进一步优化光学成像系统 设计、分辨力增强技术和确定设备使用的参量。对分辨力增强技术的频谱分析研究表明，分辩力增强技术通过调 整像场频谱分布，改善了光学光刻的图形质量。对于65 nm密集图形，离轴照明和相移掩模结合后可以使成像村 比度撮高达到0．948，工艺窗n在5％曝光范围内焦深达到0，51 I*m。 关键词：成像系统；光学光刻；分辨力增强技术；频谱分析 中图分类号：TN305 7 文献标识码：A Spatial Frequency Analysis of Resolution Enhancement Technology Sun Zhiyuanl’2 Li Yanqiul ／1 Institute 0，Electrical{}ngineering，the Chinese Academy ofSciences 、2 Graduate UniversityD厂国ineseAcademyofSvience8，Be咖ng 100039 Abstract二As two of the most important resolution enhancement technology(RET)，off-axis illumination(0AI)and attenuated phase-shift mask(AttPSM)caⅡnot only improve image quality，but also improve the depth of focus (DOF)to geta better process window which make a great contribution to the realization of 65～32 nm technological mode A consistent frequency—space analysis of山e off-axis iIlumination and attenuated phase-shift nlask is presented here to exphin its influence to tIIe transmission cross coefficient fTCC)and image frequency distribution Study on the optical mechanism of these resolution erbanc、ement technology can benefit the design of projection lens optical system，optimization of resolution enhancement technology anti the parameter setting of lithographic t001．It shows resolution erbancement technology can adjust image frequency distribution to enhance the lithographic resolution and image quality As for 65 nm node pattern．off-axis illumination and phase—shift mask can improve image contrast to 0 948，process window t0 depth of foCUS 0．51“m while exposure lafitude is 5％ Key word：imaging system；optical tithography；resolution enhancement technology；spatml frequency analysis 上 号I 百 分辨力增强技术(Resolution enhancement technology，RET)是提高光刻分辨力的重要手段， 其主要分为