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第四章　无机非金属材料 第一节　离子晶体 第二节　分子间作用力与超分子化合物 第三节　无机非金属材料及其性质 4.1　离子晶体 4.1.1　几种二元离子晶体的典型结构 晶体　　晶系　　点阵形式 NaCl　　立方　　　　cF CsCl　　立方　　　　cP 晶体　　　　晶系　　点阵形式 ZnS立方　　立方　　　　cF ZnS六方　　六方　　　 　hP 晶体　　　　晶系　　 点阵形式 CaF2立方　　立方　　　　cF TiO2 六方　　四方　　　　tP 2、离子晶体结构的近似模型 （1）离子晶体模型：不等径圆球密堆积 大球（负离子）密堆积，小球（正离子）填空隙 （2）六种典型结构形式 晶体：NaCl 负离子堆积方式：A1 正离子填隙种类：八面体 正负离子配位比：6：6 晶体： 　CsCl　　　ZnS(立方) ZnS(六方) 负离子堆积方式： 简单立方 　A1　　　　A3 正离子填隙种类： 　立方体　　　正四面体　正四面体 正负离子配位比：　　8：8　　　　4:4 4:4 晶体： 　CaF2　　　 TiO2(金红石) 负离子堆积方式： 简单立方 　假六方　　　　 正离子填隙种类： 　立方体　　　八面体　 正负离子配位比：　　4：8　　　　3:6 二元离子的典型结构形式的模型特征 晶体 负离子堆积方式 正离子种类 占空隙分数 正负离子配位比 NaCl A1 正八面体 1 6:6 CsCl 简单立方 立方体 1 8:8 ZnS(立方) A1 正四面体 1/2 4:4 ZnS(六方) A3 正四面体 1/2 4:4 CaF2 简单立方 立方体 1/2 4:8 TiO2(金红石) 假六方 八面体 1/2 3:6 4.1.2　离子键与晶格能 1、离子键的本质：离子键是离子间静电引力与电子排斥力平衡的结果。 静电引力： 电子排斥力： 2、晶格能 (1)定义：0Ｋ时1mol离子化合物中的离子从相互远离的气态结合成离子晶体所释放的能量，即： mMz+ (g) +xXz-(g)=MmXx (s) +U (2)计算： Ａ、公式法（玻恩－朗德Born-Lande)公式 R0；平衡核间距； N0：Avogadro常数； A：Magelung常数，与晶体结构形式有关； m：Born指数，与离子的电子构型有关。 4.1.4 哥希密特结晶化学定律 １、影响结构形式的几个因素 (1) 正负离子的相对大小决定正负离子配位数及配位多面体型式，较大的正离子周围可有较多的负离子与之相接触。 r+/r-的比值与配位数及配位多面体形式的关系 r+/r- 配位数 配位多面体形式 实例 0～0.155 2 哑铃状，链状 干冰 0.155～0.225 3 等边三角形 CoCO3 0.225～0.414 4 四面体 白硅石，Mg2SiO4 0.414～0.732 6 八面体，三方柱 NaCl 0.732～1 8 立方体 CsCl，CaF2 1 12 最紧密堆积 Cu，Au，Os 　(2) 正负离子的相对数量(组成比n+/n-)决定正负离子配位数之比及正离子所占空隙分数 A、 B、 (3) 离子的极化引起键型级结构型式的变异 Ａ、离子的极化： 　　离子在相互电场作用下，使电子分布的中心偏离原子核而发生电子云变形的现象。 Ｂ、键型的变异： 键能、晶格能增加、键长缩短； 离子键→共价键 Ｃ、结构型式的变异： 　　配位数降低； 　　配位多面体的对称性降低； 　　高对称性的结构→层型、链型； (2)哥希密特结晶化学定律 　　晶体的结构型式取决于其组成者的数量关系、大小关系和极化性能，组成者系指原子、离子或原子团。 4.1.5 关于多元复杂离子晶体结构的规则——Pauling规则 　　多元复杂离子晶体结构模型：配位多面体连接模型 第一规则，离子配位多面体规则：在每个正离子周围形成了负离子的配位多面体。 　　　　正负离子的距离取决于半径之和， 　　　　正负离子的配位数取决于半径比。 第二规则，离子电价规则(静电键规则)： 　　在稳定的离子结构中，每个负离子的电价数等于或近似等于这个负离子与其相邻近正离子之间各静电键强度的总和。 　　第二规则解决了每个负离子与几个正离子相连接，即几个配位多面体共用顶点。 第三规则，配位多面体共用顶点、棱和面规则： 　　在一个配位多面体结构中，共边连接和共面连接会使结构的稳定性降低，而正离子的价数越高，配位数越小，这一效应越显著。 4.2 分子间作用力与超分子化合物 4.2.1分子型晶体 1、分子间作用力(van de Walls Interaction ) E=E静+E诱+E色散 2、原子的范德华半径 　　大量晶