光电功能材料及应用-考试重点研究报告.pptxVIP

导电材料的分类： 电子导电材料：起源于电子的运动 离子导电材料：起源于离子的运动 电子导电材料 导体 σ ≥105 S/m 超导体 σ 无限大 半导体 σ 在10-7~104S/m 材料 绝缘体 半导体 导 体 超导体 1 在孤立原子中，原子核外的电子具有分立的能量值，或者说电子的能量只能允许有一系列离散的值。 电子的（也即原子的）能量被量子化。每一个能量取值叫做一个能级。 能级 2 允许带（允带） ： 允许被电子占据的能带称为允许带，原子壳层中的内层允许带总是被电子先占满，然后再占据能量更高的外面一层的允许带。 满带：被电子占满的允许带称为满带。 空带：每一个能级上都没有电子的能带称为空带。 3 导带： 价带以上能量最低的允许带称为导带。 价带： 原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级相对应的能带称为价带。 禁带： 允许带之间的范围是不允许电子占据的，此范围称为禁带。 4 无机非金属导电机制： 电子导电：载流子是电子或电子空穴； 离子导电：载流子是离子或离子空位。 离子电导机理： 导电高分子是指电导率在半导体和导体范围内的高分子材料，也是指其本身或经过“掺杂”后具有导电性的一类高分子材料。 5 各原子间的相互作用 ? 原来孤立原子的能级发生分裂 若有N个原子组成一体，对于原来孤立原子 的一个能级，就分裂成 N条靠得很近的能级， 能带的宽度记作 ?E ?E ～eV 的量级 若N~1023，则能带中两相邻能级的间距 称为能带（energy band）。 约为10-23eV。 能带理论回顾 6 半导体导电机理： 半导体价带中的电子受激发后从满价带跃到空导带中，跃迁电子可在导带中自由运动，传导电子的负电荷。同时，在满价带中留下空穴，空穴带正电荷，在价带中空穴可以按照电子运动相反的方向运动而传导正电荷。因此，半导体的导电来源于电子和空穴的运动，电子和空穴都是导电的载流子。激发既可以是热激发，也可以是半导体中非热激发，通过激发，半导体产生载流子，从而导电。 7 半导体种类 按成分 元素半导体：本征，掺杂 化合物半导体：合金，化合物，陶瓷，有机高分子 本征半导体 ( 10-9) 掺杂半导体(n, p)( 10-9) 按杂质含量 8 1. n型半导体 又称 n 型半导体。 本征半导体 Si、Ge等的四个价电子，与另四 个原子形成共价结合， 当掺入少量五价的杂质 元素（如P、As等）时， 就形成了电子型半导体， 2. p型半导体 四价的本征半导体Si、Ｇe等掺入少量三价的杂质元素（如Ｂ、Ga、In等）时，就形成空穴型半导体，又称 p 型半导体。 例：硅掺入磷后成了 n型 半导体 9 p -n 结 一. p - n 结的形成 在 n 型半导体基片的一侧掺入较高浓度的 面附近产生了一个内建 阻止电子和空穴进一步扩散。 电子和空穴的扩散， 在p型和n型半导体交界 p型半导体(补偿作用)。 受主杂质， （电）场 该区就成为 n型 p型 10 内建场大到一定 程度，不再有净电 荷的流动，达到了 新的平衡。 在p型和 n型交界面附近形成的这种特殊结构称为p-n结（阻挡层，耗尽层），其厚度约为0.1?m。 p-n结 11 由于p-n结的存在，电子的能量应考虑进势垒带来的附加势能。这使电子能带出现弯曲： 第一代电子材料：Si, Ge 第二代电子材料：III-V族化合物GaAs, GaP, InP 第三代电子材料：SiC, BN, GaN, AlN, ZnSe, 金刚石等宽带半导体。 12 二、超导特性 1、完全导电性 2、完全抗磁性（反磁性） 在超导态下，超导体内没有磁力线通过，磁场强度恒为零，这种现象称为超导体的完全抗磁性，或称迈斯纳效应。此时电流只通过导体表面。 某些物质当冷却到临界温度以下时，同时产生零电阻率和排斥磁场的能力，这种现象被称为超导电性，该类材料称为超导体或超导材料。 一、超导定义 13 三、超导体的临界条件 1、临界温度 TC 2、临界磁场强度 HC 3、临界电流密度JC 在无外磁场条件下使超导体通电，当电流密度超过一定值后，超导体失去超导电性而恢复正常态。破坏超导态的最小电流密度称为临界电流密度JC. 14 常见的非线性光学现象： ①光学整流 ②产生高次谐波 ③光学混频 ④受激拉曼散射 ⑤自聚焦 ⑥光致透明 有机二阶NLO分子的设计原则： (1)分子不具有对称中心 (2)分子具有π共轭的电子体系 (3)分子内存在电荷转移 (4)透明性和光学非线性性能 15 激光 英文名：LASER(Light Amplification by Stimulated E