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模拟电路和的技术基本—3—场效应晶体管和其基本电路
双极型晶体管 场效应晶体管 结构 NPN型 结型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C、E不可倒置 D、S一般可倒置 载流子 多子扩散、少子漂移 多子漂移 输入量 电流 电压 控制 电流控制型(β) 电压控制型(gm) 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 双极型和场效应晶体管的比较 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. §3.3 场效应管参数和小信号模型 3.3.1 主要参数 一、直流参数 IDSS 饱和漏极电流 UGSoff 夹断电压 UGSth 开启电压 RGS 输入电阻 108～1012 Ω， JFET 1010 ～ 1015 Ω, MOS 增强型MOSFET JFET 耗尽型MOSFET Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 二、极限参数 栅源击穿电压 U(BR)GSO 2. 漏源击穿电压 U(BR)DSO 3. 最大功耗 PDM iD uDS iDuDS=PDM U(BR)DSO 安全工作区 U(BR)GSO Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. D G S 三、交流参数 跨导 gm gm 的大小反映了栅源电压 uGS对漏极电流iD的 控制作用 结型及耗尽型绝缘栅场效应管 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2. 输出电阻rds rds 很大(几十千欧到几兆欧) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.3.2 场效应管的中频小信号模型 G S D 跨导 漏极输出电阻 uGS iD uDS Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 很大， 可忽略。 场效应管的微变等效电路为： G S D uGS iD uDS S G
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