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2017-03-30 发布于四川
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模拟电路演示课件s13

作业 P250 5.2.2 5.2.3 * 5.2 MOSFET放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 2. 静态工作点的计算 3. 图解分析 4. 小信号模型分析 *5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 1. 组态与偏置电路 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 组态与偏置电路（1）场效应管的三种基本组态 Rs RL Rd RL Rd RL s g d s d g d s g 共源放大共栅放大共漏放大 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （2）典型偏置电路自给偏置（由正电源获得零或负偏压称为自给偏置） N沟道耗尽型管零偏压自给偏置 Rg Rd +Vdd vo vI N沟道耗尽型管负偏压自给偏置 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 分压式偏置高输入电阻分压式偏置电路一般分压式偏置电路 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2. 静态工作点的计算（1）简单的共源极放大电路（N沟道）共源极放大电路直流通路 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ①VGS VT →工作在截止区 →工作在可变电阻区，并有若 ②VGS VT 若处饱和区，则有 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 假设工作在饱和区假设不成立，管子工作在可变电阻区解：例1：设Rg1=60k?，Rg2=40k?，Rd=21k?，试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ 。 VDD=5V， VT=1V， Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. （2）带源极电阻的NMOS双电源共源极放大电路饱和区需要验证是否满足否则工作在可变电阻区 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 例2：求右图电路的Q点。 155k 45k 10k +5V VT=1V Kn=0.5mA/V2 0.5k -5V 解得：电路Q点：解：由 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 静态时：vI＝0，VG ＝0，ID ＝I 电流源偏置 VS ＝VG －VGS （饱和区） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3. 图解分析由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-201