电子的技术基本[模拟部分].pptVIP

2004-3 电子技术基础(模拟部分) 电子技术基础(模拟部分) 教育技术系 孙大春 电子技术基础(模拟部分) 第一章 半导体二极管及其基本电路 学时数:6学时 第二章 半导体三极管及放大电路基础 学时数:8学时 第三章 场效应管放大电路 学时数：4学时 第四章 功率放大电路 学时数:4学时 第五章 反馈放大电路 学时数:10学时 第六章 直流稳压电源 学时数:4学时 第一章 半导体二极管及其基本电路 1 半导体的基本知识 1.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。半导体的电阻率为10-3～109 ??cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 1.1.2半导体的共价键结构 第一章 半导体二极管及其基本电路 1.1.3 本征半导体、空穴及其导电作 本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 本征激发：当导体处于热力学温度0K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 空穴：当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键中就留下一个空位，这个空位叫做空穴。 1.1.4 杂质半导体 1、P型半导体 在硅（或锗）晶体中掺入三价杂质元素，如硼（或铟）——受主杂质。 2、N型半导体 在硅（或锗）晶体中掺入五价杂质元素，如磷（或砷、锑）——施主杂质。 第一章 半导体二极管及其基本电路 1· 2 PN结的形成及特性 1、PN结的形成 第一章 半导体二极管及其基本电路 1．5特殊二极管 1．5．l 齐纳二极管 1．5．2 光电二极管 1．5．2 发光二极管 1．5．3激光二极管 习题：1.1 4.3 4.6 4.8 5.1 5.2 * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 空穴 自由电子 a b c ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 共价键的两 个价电子 价电子 ＋4 硅和锗的原子 结构简化模型 硅和锗的二维晶格结构图 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 空穴 硼原子 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋3 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 P型半导体的结构 磷原子 自由电子 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋5 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 N型半导体的结构 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 内电场 P区 N区 空间电荷区(耗尽区\势垒区) 电位 电子势能 v0 (接触电位差) -qv0 P区 N区 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 漂移运动：两种载流子（电子和空穴）在电场的作用下产生的运动。其运动产生的电流方向一致。 扩散运动：由于载流子浓度的差异，而形成浓度高的区域向浓度低的区域扩散，产生扩散运动。 内电场 P区