绝缘栅双极型晶体管感性负载关断下电压变化率的建模与仿真.PDFVIP

绝缘栅双极型晶体管感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究 谭骥 朱阳军 卢烁今 田晓丽 滕渊 杨飞 张广银 沈千行 Modeling and simulation of the insulated gate bipolar transistor turn-off voltage slope under inductive load Tan Ji Zhu Yang-Jun Lu Shuo-Jin Tian Xiao-Li Teng Yuan Yang Fei Zhang Guang-Yin Shen Qian-Xing 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,158501(2016) DOI: 10.7498/aps.65.158501 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.158501 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I15 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 纳米静态随机存储器低能质子单粒子翻转敏感性研究 Singleeventupsetssensitivityoflowenergyprotoninnanometer static randomaccess memory 物理学报.2016,65(6): 068501 /10.7498/aps.65.068501 (100)Si基应变p型金属氧化物半导体[110] 晶向电导率有效质量双椭球模型 Double ellipsoid model for conductivity effective mass along [110] orientation in (100) Si-based strained p-channelmetal-oxide-semiconductor 物理学报.2016,65(1): 018501 /10.7498/aps.65.018501 氮化硅膜致小尺寸金属氧化物半导体晶体管沟道单轴应变物理机理 Physical mechanism of uniaxial strain in nano-scale metal oxide semiconductor transistor caused by sin film 物理学报.2015,64(23): 238502 /10.7498/aps.64.238502 Si/Ge/Si异质横向SPiN二极管固态等离子体解析模型 AnalyticmodelsforsolidstateplasmaofSi/Ge/Siheterogeneous and lateral SPiNdiode 物理学报.2015,64(23): 238501 /10.7498/aps.64.238501 质子与金属布线层核反应对微纳级静态随机存储器单粒子效应的影响分析 Effectsofnuclearreactionsbetweenprotonsandmetalinterconnectoverlayersonsingleeventeffectsof micro/nanoscaledstaticrandomaccessmemory 物理学报.2015,64(17): 178501 /10.7498/aps.64.178501 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 15 (2016) 158501 绝缘栅双极型晶体管感性负载关断下电压变化率 的建模与仿真研究 谭骥 朱阳军 卢烁今 田晓丽 滕渊 杨飞 张广银 沈千行 1)(中国科学院微电子研究所, 中国科学院大学, 北京 100029) 2)(江苏物联网研究发展中心, 无锡 214135) ( 2016 年4 月19 日收到; 2016 年4 月27