第2章节 半导体二极管和其基本电路.pptVIP

理想模型建立的条件是 （1）当实际电路中外电路电源电压远比二极管的管压降大时 （2）应用于电路分析中的近似估算。 2.4 二极管基本电路及其分析方法 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2、恒压降模型：（又称为近似特性和模型） 建模思路：在理想模型基础上，当二极管正向导通时，其管压降UD不再忽略为0 （UD≠0）, 而是一个常数Ur,它不随流过二极管的电流而变化。即有：UD= Ur = 0 .7V 硅管 0.3V 锗管 则相对应的近似特性和模型见图。 建模条件 （1）只有当流过二极管的正向电流iD≥1mA才可正确使用。 （2）应用于近似计算。 2.4 二极管基本电路及其分析方法 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3、折线模型：（又称为折线近似特性和模型 ） 建模思路：在恒压降模型的基础上，认为当二极管正向偏置时，其管压降UD≠0且UD ≠常数 Ur，而是变化量。即UD随流过二极管的正向电流iD的增加而增加。恰体现U=RI之间的关系，因而此模型用一个电动势串接一个电阻rD来表示。且电动势的值为门坎电压Uth= 0.5v（Si管） 0.1v（Ge管） 用KVL定律可得：UD=0+ ur+ iD. rD 2.4 二极管基本电路及其分析方法 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 4、小信号模型：（又称指数模型或等效电路法） 实际二极管的V－I特性曲线是非线性的，由数学知识当对其一段一段细分，则每一小段均可等效为一小段直线。 利用此原理：如要求进入二极管电路的信号为微变量，则可满足二极管在小范围内工作，这样在二极管的正向V－I特性曲线上的某一范围段内（如在Q点附近），可近似将此段曲线等效为一直线段。即实现了线性化，计算得以简便。 2.4 二极管基本电路及其分析方法 △iD Q a b IDQ iD 0 ?D △?D Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 相应的电压、电流、电阻符合线性关系：rd=△uD/△iD 其中rd称为小信号模型的微变等效电阻（线性电阻、交流动态电阻）。 求解二极管的交流电阻rd的方法： （1）利用斜率法：其中k＝tgα= △iD/△uD 而rd= △uD/△iD rd=1/k（这是求rd的一条途径） （2）利用二极管的V---I特性方程 四种模型依次越来越精确，越接近实际V--I特性，但模型也越来越复杂。其中第一、第二两种适合应用于二极管电路的近似估算；而第三、第四两种则由于计算精确，多应用于精确分析计算的二极管电路及计算机解题。 2.4 二极管基本电路及其分析方法 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2、ＰＮ结外加反向电压（反偏）：将外电源的正极接Ｎ区, 负极接Ｐ区,使 P区的电位低于N区的电位，称为反向接法或反向偏置，如图2-７(ｂ)所示。 此时外加电压在阻挡层内形成的电场与自建电场方向相同, 使自建电场增强, 阻挡层变宽。显然, 动态平衡被破坏，少子漂移作用强于多子扩散作用, 可忽略扩散电流的影响。而少数载流子在电场作用下作漂移运动产生的空穴电流与电子电流，从外部看方向一致，均由电源正极通过Ｎ区、Ｐ区到达电源负极，恰与正向电压时相反,便称此电流为反向电流。 Evaluati