第5章节半导体器件工艺学之光刻.pptVIP

第五章光刻 §5-1光刻材料 §5-2光刻工艺 §5-3先进的光刻技术 §5-1光刻材料 一、概述 制作掩膜版 将掩膜版上的图形转移到硅片表面的光敏薄膜上 刻蚀 离子注入 （掺杂） 光刻使用光敏光刻胶材料和受控制的曝光形成三维图形 光刻是IC制造中关键步骤 1/3成本、40%—50%生产时间、决定CD 多次光刻 光刻材料：光刻胶 掩膜版 二、光刻胶（PR） 1.光刻胶的特性及作用 是一种光敏材料 通过曝光使光刻胶在显影液中的溶解度发生改变 可溶→不可溶（负胶） 不可溶→可溶（正胶） 光刻胶的作用：保护下层材料 光刻胶：负性光刻胶 正性光刻胶 2.光刻胶的组成树脂 感光剂 溶剂 另外还有添加剂 负性光刻胶 树脂（可溶于显影液） 曝光后感光剂产生自由基 自由基使树脂交联而不溶于显影液 显影后图形与掩膜版相反 正性光刻胶 树脂（本身是可溶于显影液，感光剂是一种强力溶解抑制剂） 曝光后感光剂产生酸 酸提高树脂在显影液中的溶解度 显影后图形与掩膜版相同 对比：正、负光刻胶 负胶：显影泡胀而变形，使分辨率下降 曝光速度快，与硅片粘附性好 价格便宜