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半导体器件 7.1 PN结及其模型 2.P 型半导体（Positive 正） 三、 PN结的形成及特性 2.PN结的单向导电性 2）PN 结加反向电压（反向偏置） 半导体三极管的型号（补充） 国家标准对半导体三极管的命名如下： 3 D G 110 B 用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管 第二位：A表示锗PNP管、B表示锗NPN管、C表示硅PNP管、D表示硅NPN管 第三位：X表示低频小功率管、D表示低频大功率管、G表示高频小功率管、A表示高频小功率管、K表示开关管。 判断三极管工作状态的方法 7.3.3 晶体三极管的特性曲线 一、输入特性 输入 回路 输出 回路 与二极管特性相似 O 特性基本重合(电流分配关系确定) 特性右移(因集电结开始吸引电子) 导通电压 UBE(on) 硅管： (0.6 ? 0.8) V 锗管： (0.2 ? 0.4) V 取 0.7 V 取 0.3 V 二、输出特性 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 截止区： IB ? 0 IC = ICEO ? 0 条件：两个结反偏 截止区 ICEO iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 2. 放大区： 放大区 截止区 条件： 发射结正偏 集电结反偏 特点： 水平、等间隔 ICEO iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 3. 饱和区： uCE ? u BE uCB = uCE ? u BE ? 0 条件：两个结正偏 特点：IC ? ? IB 临界饱和时： uCE = uBE 深度饱和时： 0.3 V (硅管) UCE(SAT)= 0.1 V (锗管) 放大区 截止区 饱 和 区 ICEO 7.3.4 晶体三极管的主要参数 一、电流放大系数 1. 共发射极电流放大系数 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 — 直流电流放大系数 ? — 交流电流放大系数 一般为几十 ? 几百 Q iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 2. 共基极电流放大系数 ? ? 1 一般在 0.98 以上。 Q 二、极间反向饱和电流 CB 极间反向饱和电流 ICBO， CE 极间反向饱和电流 ICEO。 三、极限参数 1. ICM — 集电极最大允许电流，超过时 ? 值明显降低。 2. PCM — 集电极最大允许功率损耗 PC = iC ? uCE。 iC ICM U(BR)CEO uCE PCM O ICEO 安 全 工 作 区 U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。 3. U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。 U(BR)EBO — 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。 U(BR)CBO U(BR)CEO U(BR)EBO 7.3.5 温度对BJT特性曲线的影响 1. 温度升高，输入特性曲线向左移。 温度每升高 1?C，UBE ? (2 ? 2.5) mV。 温度每升高 10?C，ICBO 约增大 1 倍。 O T2 T1 2. 温度升高，输出特性