光滑忆阻振荡器的暂态混沌分解.ppt

本报告是严格保密的。 本报告是严格保密的。 Copyright 2006 Thomson Corporation * 二零零八年六月 地球物理与空间信息学院（IGG） 光滑忆阻振荡器的暂态混沌 2016年4月21日 背景 1、忆阻器，一种通过关系式来定义的器件，是在1971年由蔡氏提出并在2008年在惠普实验室中又斯坦威廉姆斯的团队证实的一种电路器件。 2、磁通控制的忆阻器是一种被动的双端电子器件，其可以用其两端的电压和通过的电流的非线性本构关系来进行描述。 意义 通过将蔡氏振荡器中的蔡氏二极管替换为一个磁通控制的忆阻器和负电导，提出了一种新的平滑忆阻器振荡器。 论文背景及意义 论文提纲： 1、引言部分 2、蔡氏光滑忆阻器 3、在忆阻振荡器中的暂态混沌 4、结论 引言 忆阻器，一种通过关系式 来定义的电路器件，磁通控制的忆阻器是一种被动的双端电子器件，其可以用其两端的电压和通过的电流的非线性本构关系来进行描述。 将蔡氏二极管更换为单调增加、分段线性的非线性忆阻器，得到了一种新的振荡器。光滑忆阻振荡器。 假设磁通控制忆阻器由如下的连续可导非线性三次单调增函数定义： 其中a、b0在这种情况下，忆阻器可由下式定义： 因此，通过用活跃的双端忆阻电路和磁通控制的忆阻器替换蔡氏振荡器中的蔡氏二极管，就可以设计一个光