化学气相沉积法分解.pptxVIP

化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯 滕燕燕 化学气相沉积（CVD) 利用气态或蒸汽态的物质在热固表面上反应形成沉积物的过程 气相生长技术 CVD反应体系应满足的条件： CVD反应过程的主要步骤 CVD技术在无机合成时的特点 不改变固体基底的形状，保形性 可利用CVD技术对道具表面进行涂层处理，也可应用于超大规模集成电路制造工艺中。 可以得到单一的无机合成物质 作为原料可以制备出更多产品 可以得到特定形状的游离沉积物器具 制造碳化硅器皿和金刚石薄膜部件 可以沉积生成晶体或细分状物质 可以用来生成超微粉体，在特定的工艺条件下可以生产纳米级的超细粉末 01 02 03 04 热壁低压化学气相沉积LPCVD 金属有机化学气相沉积MOCVD 等离子体化学气相沉积PECVD 激光化学气相沉积LCVD CVD技术的分类 CVD装置 CVD装置由气源控制部件、沉积反应室、沉积控温部件，真空排气和压强控制部件组成 出现于20世纪70年代末，被誉为集成电路制造工艺中的一项重大突破 石墨烯 石墨烯是由 sp2杂化的碳原子键合而成的具有六边形蜂窝状晶格结构的二维原子晶体 石墨烯的主要制备方法：微机械剥离法 SiC外延生长法 化学氧化还原法 化学气相