光电耦合器件1_f噪声和g_r噪声的机理研究.pdfVIP

第 34 卷第 6 期 2005 年 6 月 　　　　　　　　　　　　 光 　子 　学 　报 ACTA P HO TON ICA SIN ICA Vol. 34 No. 6 J une 2005 3国家自然科学基金 ( No . 、国防预研基金 ( No . 51411040601DZ014) 与国防科技重点实验室基金 ( No . 51433030103DZ01)资助 Tel :029　　Email :moslanding @yahoo. com. cn 收稿日期 :2004 10 29 光电耦合器件 1/ f 噪声和 g2r 噪声的机理研究 3 包军林　庄奕琪　杜　磊　马仲发　李伟华　李　聪 (宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 ,西安电子科技大学微电子研究所 ,西安 710071) 摘　要 　对光电耦合器件 1/ f 噪声和 g2r 噪声 (产生 - 复合噪声) 的偏置特性及其产生机理进行了 实验和理论研究1 结果表明 :在低频段 ,光电耦合器件的 g2r 噪声通常表现为叠加 1/ f 噪声 ,且两 者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律 1 通过测量前级噪声和后级噪声 ,发现光电耦合 器件的 g2r 噪声源为后级光敏三极管 1 理论分析表明 :光电耦合器件的 1/ f 噪声主要为表面 1/ f 噪声 , g2r 噪声则源于光敏三极管发射结空间电荷区的深能级对载流子的俘获和发射1 关键词 　1/ f 噪声 ; g2r 噪声 ;光电耦合器件 ;深能级 中图分类号 　　TN36 　　　　文献标识码　　A 0 　引言 光电耦合器件以其体积小、寿命长、无触点、抗 干扰性强等优点广泛的用于导航、卫星通信等的军 事领域1 最近的研究结果表明 ,光电耦合器件的低 频噪声 ,尤其是 g2r 噪声 (产生 - 复合噪声) ,已经成 为影响其可靠性甚至正常工作的一个重要因素[1 ]1 光电耦合器件的低频噪声包括 1/ f 噪声和 g2r 噪声 ,在很宽的频率范围内表现为两者的叠加 1 半 导体器件表面和体内的一些缺陷 (重金属杂质、位 错) 可在禁带中引入一些浅陷阱能级和深陷阱能级 , 通常认为前者是 1/ f 噪声的主要来源 ,后者是 g2r 噪声的主要来源[2 ]1 因而测量低频噪声 (主要为 1/ f 噪声和 g2r 噪声) 已经成为半导体材料和器件内 部缺陷及其可靠性表征的一种重要手段[3～5 ]1 尽管 1/ f 噪声和 g2r 噪声已经作为判据用于光电耦合器 件的可靠性筛选[1 ] ,但其产生机理尚未清楚 ,至今没 有一个完善的理论解释现有的实验结果1 本文对光电耦合器件 1/ f 噪声和 g2r 噪声的偏 置特性进行了实验和理论研究 1 实验结果表明 ,两 者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律 1 通过测量前级噪声和后级噪声 ,发现光电耦合器件 的 g2r 噪声源为后级光敏三极管 1 理论分析表明 , 光电耦合器件的 1/ f 噪声主要为表面 1/ f 噪声 ; g2r 噪声为光敏三极管发射结空间电荷区深能级对载流 子俘获和发射 ,引起了结区两端电势的涨落 ,该涨落 又以指数的形式调制了基区电流 ,最终表现为大幅 度的 g2r 噪声 ;偏置电压的增大使得空间电荷区内 费米能级与陷阱能级的交点向高掺杂区移动 ,导致 了光电耦合器件 g2r 噪声的特征频率持续增大 , g2r 噪声的幅值则呈现先增大后减小的变化规律1 1 　实验 1 . 1 　实验方法 被测样品为北京瑞普公司生产的 GD315A 型 光 电耦合器1噪声测试电路如图11电子器件的低频 图 1 　光耦低频噪声测试偏置电路 Fig. 1 　Bias circuit for noise measurement of OCDs 噪声通常包括白噪声、1/ f 噪声和 g2r 噪声 ,其功率 谱密度可表示为 S ( f ) = A + B f γ + C 1 + ( f / f 0 ) 2 (1) 式中 A 为白噪声的幅度 , B 和γ分别为 1/ f 噪声的 幅度和频率指数因子 , C 和 f 0 分别为 g2r 噪声的幅 度和特征频率1 不同的噪声分量以及各个分量的不 同表征参数具有不同的物理意义 ,反映了器件不同 的内部缺陷特征1 因此 ,从实测噪声频谱中分离出 各种噪声分量 ,并精确确定各个分量表征参数的值 , 是对器件进行噪声分析的前提 1 采用文献 [ 6 ]的方 法从测量结果提取上述参数 ,图 2 为一个 GD315A 型光耦低频噪声的测试结果 (双对数坐标 ,纵轴为功 率谱密度 ,横轴为频率)1 从中可知 ,光电耦合器件 的 g2r 噪声通常是和 1/ f 噪声叠加在一起的 ,图中 波动线为实测曲线 ,平滑线